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凸点下金属化层(UBM)结构及其形成方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201110243071.0
申请日
:
2011-08-22
公开(公告)号
:
CN102456653B
公开(公告)日
:
2012-05-16
发明(设计)人
:
蔡宗甫
郭彦良
张志鸿
申请人
:
申请人地址
:
中国台湾新竹
IPC主分类号
:
H01L23488
IPC分类号
:
H01L23522
H01L2300
H01L2160
代理机构
:
北京德恒律师事务所 11306
代理人
:
陆鑫;高雪琴
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2012-06-27
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101274713051 IPC(主分类):H01L 23/488 专利申请号:2011102430710 申请日:20110822
2012-05-16
公开
公开
2014-07-30
授权
授权
共 50 条
[1]
一种凸点下金属化层构件及制备方法
[P].
王凤江
论文数:
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王凤江
;
李东洋
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李东洋
;
黄瑛
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黄瑛
.
中国专利
:CN106356352A
,2017-01-25
[2]
具有底部凸块金属化(UBM)结构的半导体器件及其形成方法
[P].
吴逸文
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吴逸文
;
郭宏瑞
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郭宏瑞
;
黄见翎
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黄见翎
;
刘重希
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0
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刘重希
.
中国专利
:CN102456657B
,2012-05-16
[3]
包括凸点下金属化层的微机电系统器件
[P].
L.S.约翰森
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0
L.S.约翰森
;
J.T.拉夫恩基尔德
论文数:
0
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0
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0
J.T.拉夫恩基尔德
.
中国专利
:CN103384639A
,2013-11-06
[4]
一种电路凸点下金属化层结构及电路板
[P].
代雪梅
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代雪梅
;
张雪林
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张雪林
;
李刘中
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李刘中
;
袁山富
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袁山富
.
中国专利
:CN215268895U
,2021-12-21
[5]
用于半导体器件的金属化层及其形成方法
[P].
B·戈勒
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B·戈勒
;
K·马托伊
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0
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K·马托伊
.
中国专利
:CN107808825A
,2018-03-16
[6]
使用凸点下金属层用蚀刻组合物形成凸点结构的方法
[P].
姜东旻
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姜东旻
;
姜宝滥
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姜宝滥
;
金永南
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金永南
;
林永*
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0
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林永*
.
中国专利
:CN101440491B
,2009-05-27
[7]
凸点及其形成方法
[P].
王津洲
论文数:
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王津洲
.
中国专利
:CN102487023A
,2012-06-06
[8]
金属凸块结构及其形成方法
[P].
谢志峰
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谢志峰
;
张挺
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张挺
;
黄涛
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0
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黄涛
.
中国专利
:CN106298719A
,2017-01-04
[9]
焊料金属化堆叠以及其形成方法
[P].
K·卡洛维斯基
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K·卡洛维斯基
;
M·埃曼
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M·埃曼
;
M·哈里森
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M·哈里森
;
E·纳佩特施尼格
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E·纳佩特施尼格
;
A·富加特斯乔
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A·富加特斯乔
.
中国专利
:CN106206518A
,2016-12-07
[10]
微电子封装中焊料凸点/金属化层连接结构体及其应用
[P].
祝清省
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祝清省
;
刘海燕
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刘海燕
;
郭敬东
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郭敬东
;
尚建库
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尚建库
.
中国专利
:CN102420203A
,2012-04-18
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