具有底部凸块金属化(UBM)结构的半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110217315.8

申请日：

2011-07-29

公开(公告)号：

CN102456657B

公开(公告)日：

2012-05-16

发明(设计)人：

吴逸文郭宏瑞黄见翎刘重希

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L23498

IPC分类号：

H01L2160

代理机构：

北京德恒律师事务所 11306

代理人：

陆鑫;高雪琴

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-06-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101274715817 IPC(主分类):H01L 23/498 专利申请号:2011102173158 申请日:20110729
2012-05-16	公开	公开
2015-10-21	授权	授权

共 50 条

[1]

凸点下金属化层(UBM)结构及其形成方法 [P].

蔡宗甫 ;

郭彦良 ;

张志鸿 .

中国专利 :CN102456653B ,2012-05-16

[2]

围绕凸块形成区形成具有多层UBM的凸块结构的半导体器件和方法 [P].

林耀剑 ;

方建敏 ;

陈康 .

中国专利 :CN102130101A ,2011-07-20

[3]

用于半导体器件的金属化层及其形成方法 [P].

B·戈勒 ;

K·马托伊 .

中国专利 :CN107808825A ,2018-03-16

[4]

半导体器件的金属化 [P].

保罗·赫伊斯坎普 ;

霍德弗里德·亨克里斯·约瑟夫斯·诺特曼斯 .

中国专利 :CN105514084B ,2016-04-20

[5]

形成半导体金属化系统及其结构的方法 [P].

韦恩·A·克罗宁 ;

布赖恩·L·斯克里夫纳 ;

柯比·F·克茨 ;

小约翰·M·帕尔西 .

中国专利 :CN1174408A ,1998-02-25

[6]

半导体结构及其形成方法，半导体器件及其形成方法 [P].

张全良 ;

刘丽丽 .

中国专利 :CN114068708A ,2022-02-18

[7]

半导体结构及其形成方法，半导体器件及其形成方法 [P].

张全良 ;

刘丽丽 .

中国专利 :CN114068708B ,2024-03-22

[8]

凸块和具有凸块的半导体器件 [P].

裵振浩 ;

朴明根 .

中国专利 :CN102646657A ,2012-08-22

[9]

半导体器件结构、半导体器件及其形成方法 [P].

朱家宏 ;

王菘豊 ;

梁顺鑫 ;

张旭凯 ;

时定康 ;

洪宗佑 ;

蔡邦彦 ;

林耕竹 .

中国专利 :CN113488465B ,2025-07-01

[10]

半导体器件结构、半导体器件及其形成方法 [P].

黄如立 ;

庄英良 ;

叶明熙 ;

黄国彬 .

中国专利 :CN109216356B ,2019-01-15

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