围绕凸块形成区形成具有多层UBM的凸块结构的半导体器件和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010587089.8

申请日：

2010-12-01

公开(公告)号：

CN102130101A

公开(公告)日：

2011-07-20

发明(设计)人：

林耀剑方建敏陈康

申请人：

申请人地址：

新加坡新加坡市

IPC主分类号：

H01L2500

IPC分类号：

H01L2702 H01L23528 H01L23498 H01L2300 H01L21768 H01L2160 H01L2150 H01L2198

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

李湘;高为

法律状态：

授权

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

凸块和具有凸块的半导体器件 [P].

裵振浩 ;

朴明根 .

中国专利 :CN102646657A ,2012-08-22

[2]

在半导体器件上形成凸块的方法 [P].

朴明淳 .

中国专利 :CN101019222A ,2007-08-15

[3]

半导体器件和形成用于无铅凸块连接的双UBM结构的方法 [P].

林立人 ;

S·A·墨菲 ;

孙伟 .

中国专利 :CN102201351A ,2011-09-28

[4]

凸块形成方法、凸块形成装置以及半导体装置的制造方法 [P].

吉野浩章 ;

富山俊彦 .

中国专利 :CN106233443A ,2016-12-14

[5]

形成引线上凸块互连的半导体器件和方法 [P].

R.D.潘德塞 .

中国专利 :CN102487020B ,2012-06-06

[6]

具有凸块结构的半导体器件和半导体封装件 [P].

徐柱斌 ;

李东勋 ;

崔朱逸 ;

朴秀晶 ;

林东燦 .

中国专利 :CN110875261A ,2020-03-10

[7]

具有底部凸块金属化(UBM)结构的半导体器件及其形成方法 [P].

吴逸文 ;

郭宏瑞 ;

黄见翎 ;

刘重希 .

中国专利 :CN102456657B ,2012-05-16

[8]

具有凸块结构的半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

曹佩华 ;

陈承先 ;

蔡承纮 ;

张国钦 ;

朱立寰 .

中国专利 :CN109979903B ,2019-07-05

[9]

凸块的形成方法 [P].

王津洲 .

中国专利 :CN102054707A ,2011-05-11

[10]

于半导体晶片上形成金属凸块的方法及具有如此形成的金属凸块的半导体晶片装置 [P].

沈育浓 .

中国专利 :CN1665008A ,2005-09-07

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-24	授权	授权
2020-01-24	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 25/00 变更事项:专利权人变更前:新科金朋有限公司变更后:新科金朋私人有限公司变更事项:地址变更前:新加坡新加坡市变更后:新加坡新加坡市
2020-01-24	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 25/00 登记生效日:20200106 变更事项:专利权人变更前权利人:新科金朋私人有限公司变更后权利人:长电集成电路（绍兴）有限公司变更事项:地址变更前权利人:新加坡新加坡市变更后权利人:浙江省绍兴市越城区临江路500号
2011-07-20	公开	公开
2012-11-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101343153601 IPC(主分类):H01L 25/00 专利申请号:2010105870898 申请日:20101201