凸块和具有凸块的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210033503.X

申请日：

2012-02-15

公开(公告)号：

CN102646657A

公开(公告)日：

2012-08-22

发明(设计)人：

裵振浩朴明根

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L23488

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

彭久云

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-10-08	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101705932356 IPC(主分类):H01L 23/488 专利申请号:201210033503X 申请公布日:20120822
2012-08-22	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件热凸块 [P].

L·马 ;

W·L·张 ;

A·斯库德里 ;

W·C·B·皮特曼 .

美国专利 :CN117813683A ,2024-04-02

[2]

具有外部连接凸块的半导体器件 [P].

铃木进也 ;

幕田喜一 .

中国专利 :CN104952821A ,2015-09-30

[3]

半导体器件和凸块布置方法 [P].

坂本和夫 .

日本专利 :CN117410258A ,2024-01-16

[4]

具有凸块结构的半导体器件和半导体封装件 [P].

徐柱斌 ;

李东勋 ;

崔朱逸 ;

朴秀晶 ;

林东燦 .

中国专利 :CN110875261A ,2020-03-10

[5]

具有凸块结构的半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

曹佩华 ;

陈承先 ;

蔡承纮 ;

张国钦 ;

朱立寰 .

中国专利 :CN109979903B ,2019-07-05

[6]

围绕凸块形成区形成具有多层UBM的凸块结构的半导体器件和方法 [P].

林耀剑 ;

方建敏 ;

陈康 .

中国专利 :CN102130101A ,2011-07-20

[7]

半导体器件中的伸长凸块结构 [P].

郭正铮 ;

庄其达 ;

林宗澍 ;

陈承先 .

中国专利 :CN103000598A ,2013-03-27

[8]

用于半导体器件的伸长凸块结构 [P].

郭庭豪 ;

陈玉芬 ;

陈承先 ;

余振华 ;

吴胜郁 ;

庄其达 .

中国专利 :CN102629597A ,2012-08-08

[9]

包括导电凸块互连的半导体器件 [P].

严俊荣 ;

狄晓峰 ;

陈治强 ;

莫金理 ;

吴明霞 .

中国专利 :CN108878398A ,2018-11-23

[10]

用于半导体器件的伸长凸块结构 [P].

郭庭豪 ;

陈玉芬 ;

陈承先 ;

余振华 ;

吴胜郁 ;

庄其达 .

中国专利 :CN105762128A ,2016-07-13

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