具有外部连接凸块的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510146619.8

申请日：

2015-03-31

公开(公告)号：

CN104952821A

公开(公告)日：

2015-09-30

发明(设计)人：

铃木进也幕田喜一

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L23482

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

谢攀;陈岚

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-30	授权	授权
2016-11-02	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101740987441 IPC(主分类):H01L 23/482 专利申请号:2015101466198 变更事项:申请人变更前:辛纳普蒂克斯显像装置合同会社变更后:辛纳普蒂克斯日本合同会社变更事项:地址变更前:日本东京都变更后:日本东京都
2022-03-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/482 申请日:20150331 授权公告日:20190730 终止日期:20210331
2016-12-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101693571933 IPC(主分类):H01L 23/482 专利申请号:2015101466198 申请日:20150331
2015-09-30	公开	公开

共 50 条

[1]

凸块和具有凸块的半导体器件 [P].

裵振浩 ;

朴明根 .

中国专利 :CN102646657A ,2012-08-22

[2]

半导体器件热凸块 [P].

L·马 ;

W·L·张 ;

A·斯库德里 ;

W·C·B·皮特曼 .

美国专利 :CN117813683A ,2024-04-02

[3]

具有凸块结构的半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

曹佩华 ;

陈承先 ;

蔡承纮 ;

张国钦 ;

朱立寰 .

中国专利 :CN109979903B ,2019-07-05

[4]

具有凸块结构的半导体器件和半导体封装件 [P].

徐柱斌 ;

李东勋 ;

崔朱逸 ;

朴秀晶 ;

林东燦 .

中国专利 :CN110875261A ,2020-03-10

[5]

具有微凸块的半导体器件及其测试方法 [P].

朴怜浚 ;

丘泳埈 ;

文峻一 ;

尹炳国 ;

崔锡佑 .

中国专利 :CN113192855A ,2021-07-30

[6]

半导体器件中的伸长凸块结构 [P].

郭正铮 ;

庄其达 ;

林宗澍 ;

陈承先 .

中国专利 :CN103000598A ,2013-03-27

[7]

用于半导体器件的伸长凸块结构 [P].

郭庭豪 ;

陈玉芬 ;

陈承先 ;

余振华 ;

吴胜郁 ;

庄其达 .

中国专利 :CN102629597A ,2012-08-08

[8]

包括导电凸块互连的半导体器件 [P].

严俊荣 ;

狄晓峰 ;

陈治强 ;

莫金理 ;

吴明霞 .

中国专利 :CN108878398A ,2018-11-23

[9]

用于半导体器件的伸长凸块结构 [P].

郭庭豪 ;

陈玉芬 ;

陈承先 ;

余振华 ;

吴胜郁 ;

庄其达 .

中国专利 :CN105762128A ,2016-07-13

[10]

半导体器件和凸块布置方法 [P].

坂本和夫 .

日本专利 :CN117410258A ,2024-01-16

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