具有微凸块的半导体器件及其测试方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010749399.9

申请日：

2020-07-30

公开(公告)号：

CN113192855A

公开(公告)日：

2021-07-30

发明(设计)人：

朴怜浚丘泳埈文峻一尹炳国崔锡佑

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2166

IPC分类号：

H01L23544

代理机构：

北京弘权知识产权代理有限公司 11363

代理人：

许伟群;阮爱青

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-30	公开	公开
2021-08-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20200730

共 50 条

[1]

凸块和具有凸块的半导体器件 [P].

裵振浩 ;

朴明根 .

中国专利 :CN102646657A ,2012-08-22

[2]

具有凸块结构的半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

曹佩华 ;

陈承先 ;

蔡承纮 ;

张国钦 ;

朱立寰 .

中国专利 :CN109979903B ,2019-07-05

[3]

具有外部连接凸块的半导体器件 [P].

铃木进也 ;

幕田喜一 .

中国专利 :CN104952821A ,2015-09-30

[4]

半导体器件热凸块 [P].

L·马 ;

W·L·张 ;

A·斯库德里 ;

W·C·B·皮特曼 .

美国专利 :CN117813683A ,2024-04-02

[5]

具有凸块结构的半导体器件和半导体封装件 [P].

徐柱斌 ;

李东勋 ;

崔朱逸 ;

朴秀晶 ;

林东燦 .

中国专利 :CN110875261A ,2020-03-10

[6]

具有测试元件组的半导体器件及其测试方法 [P].

范纯圣 ;

范世伦 .

中国专利 :CN121208588A ,2025-12-26

[7]

半导体器件和凸块布置方法 [P].

坂本和夫 .

日本专利 :CN117410258A ,2024-01-16

[8]

半导体测试装置、半导体器件测试用接触基板、半导体器件的测试方法、半导体器件及其制造方法 [P].

山口直子 ;

杉崎吉昭 ;

青木秀夫 ;

平冈俊郎 ;

堀田康之 ;

青竹茂 ;

泽登美纱 .

中国专利 :CN1449010A ,2003-10-15

[9]

具有测试结构的半导体器件以及半导体器件测试方法 [P].

马塞尔·佩尔戈姆 ;

比奥莱塔·彼得雷斯库 ;

普鲁维·斯恩达克拉 .

中国专利 :CN101473237A ,2009-07-01

[10]

在半导体器件上形成凸块的方法 [P].

朴明淳 .

中国专利 :CN101019222A ,2007-08-15

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