半导体器件和形成用于无铅凸块连接的双UBM结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110073590.7

申请日：

2011-03-25

公开(公告)号：

CN102201351A

公开(公告)日：

2011-09-28

发明(设计)人：

林立人 S·A·墨菲孙伟

申请人：

申请人地址：

新加坡新加坡市

IPC主分类号：

H01L2160

IPC分类号：

H01L21768 H01L23485 H01L23488

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

曲宝壮;蒋骏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-09-14	授权	授权
2011-09-28	公开	公开
2013-02-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/60 专利申请号:2011100735907 申请日:20110325 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101391738580

共 50 条

[1]

围绕凸块形成区形成具有多层UBM的凸块结构的半导体器件和方法 [P].

林耀剑 ;

方建敏 ;

陈康 .

中国专利 :CN102130101A ,2011-07-20

[2]

具有凸块结构的半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

曹佩华 ;

陈承先 ;

蔡承纮 ;

张国钦 ;

朱立寰 .

中国专利 :CN109979903B ,2019-07-05

[3]

形成半导体器件的连接突块的方法 [P].

赵文祺 ;

林桓植 ;

朴善姬 .

中国专利 :CN103035543A ,2013-04-10

[4]

凸块和具有凸块的半导体器件 [P].

裵振浩 ;

朴明根 .

中国专利 :CN102646657A ,2012-08-22

[5]

用于半导体器件的伸长凸块结构 [P].

郭庭豪 ;

陈玉芬 ;

陈承先 ;

余振华 ;

吴胜郁 ;

庄其达 .

中国专利 :CN102629597A ,2012-08-08

[6]

用于半导体器件的伸长凸块结构 [P].

郭庭豪 ;

陈玉芬 ;

陈承先 ;

余振华 ;

吴胜郁 ;

庄其达 .

中国专利 :CN105762128A ,2016-07-13

[7]

半导体器件和用于形成半导体器件结构的方法 [P].

林文凯 ;

程柏壬 ;

张哲豪 ;

黄泰钧 ;

李资良 .

中国专利 :CN120711801A ,2025-09-26

[8]

在半导体器件上形成凸块的方法 [P].

朴明淳 .

中国专利 :CN101019222A ,2007-08-15

[9]

改善半导体器件中的焊料凸块连接的结构和方法 [P].

蒂莫西·H·道本斯匹克 ;

杰弗里·P·甘比诺 ;

克里斯托弗·D·玛兹 ;

沃尔夫冈·索特 ;

T·D·萨利文 .

中国专利 :CN101770962A ,2010-07-07

[10]

形成引线上凸块互连的半导体器件和方法 [P].

R.D.潘德塞 .

中国专利 :CN102487020B ,2012-06-06

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