半导体器件和用于形成半导体器件结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510721026.3

申请日：

2025-05-30

公开(公告)号：

CN120711801A

公开(公告)日：

2025-09-26

发明(设计)人：

林文凯程柏壬张哲豪黄泰钧李资良

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H10D84/01

IPC分类号：

H10D84/83 H10D62/10

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-26	公开	公开
2025-10-17	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/01申请日:20250530

共 50 条

[1]

用于形成半导体器件的方法和半导体器件 [P].

P·森 ;

H-J·舒尔策 .

中国专利 :CN107068550A ,2017-08-18

[2]

形成半导体器件的方法和半导体结构 [P].

廖忠志 .

中国专利 :CN120224715A ,2025-06-27

[3]

半导体结构和形成半导体器件的方法 [P].

王志庆 ;

苏佳莹 ;

谢文兴 ;

程冠伦 ;

吴忠纬 ;

吴志强 .

中国专利 :CN113571471B ,2024-11-15

[4]

半导体结构和形成半导体器件的方法 [P].

江宏礼 ;

黄思维 ;

魏焕昇 ;

何炯煦 ;

叶致锴 ;

谢文兴 ;

吴忠政 ;

杨育佳 .

中国专利 :CN108122774B ,2018-06-05

[5]

半导体结构和形成半导体器件的方法 [P].

王志庆 ;

苏佳莹 ;

谢文兴 ;

程冠伦 ;

吴忠纬 ;

吴志强 .

中国专利 :CN113571471A ,2021-10-29

[6]

用于形成半导体器件的方法和半导体器件 [P].

N·G·加纳戈纳 ;

M·耶利内克 ;

J·G·拉文 ;

H-J·舒尔策 ;

W·舒斯特雷德尔 .

中国专利 :CN106257628B ,2016-12-28

[7]

用于形成半导体器件的方法和半导体器件 [P].

M.耶利内克 ;

J.G.拉文 ;

H.厄夫纳 ;

H-J.舒尔策 ;

W.舒斯特雷德 .

中国专利 :CN105609407B ,2016-05-25

[8]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

H·许斯肯 ;

A·毛德 ;

H-J·舒尔策 ;

W·勒斯纳 ;

H·舒尔策 .

中国专利 :CN104637940B ,2015-05-20

[9]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

J.P.康拉特 ;

W.贝格纳 ;

R.埃斯特夫 ;

R.盖斯贝格尔 ;

F.格拉泽 ;

J.希尔森贝克 ;

R.K.约施 ;

S.克拉姆普 ;

S.克里韦克 ;

G.卢皮纳 ;

楢桥浩 ;

A.韦尔克尔 ;

S.韦勒特 .

中国专利 :CN110364489A ,2019-10-22

[10]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

E.巴赫尔 ;

J.霍尔茨米勒 ;

H-J.舒尔策 ;

T.施魏因伯克 ;

J.维特博恩 ;

M.聪德尔 .

中国专利 :CN104576711A ,2015-04-29

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