半导体器件的金属化

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510645378.1

申请日：

2015-10-08

公开(公告)号：

CN105514084B

公开(公告)日：

2016-04-20

发明(设计)人：

保罗·赫伊斯坎普霍德弗里德·亨克里斯·约瑟夫斯·诺特曼斯

申请人：

申请人地址：

荷兰奈梅亨

IPC主分类号：

H01L23522

IPC分类号：

H01L2360

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

麦善勇;张天舒

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-10-12	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101739887399 IPC(主分类):H01L 23/522 专利申请号:2015106453781 登记生效日:20160914 变更事项:申请人变更前权利人:恩智浦有限公司变更后权利人:耐智亚有限公司变更事项:地址变更前权利人:荷兰埃因霍温高科技园区60邮编:5656AG 变更后权利人:荷兰艾恩德霍芬
2017-05-03	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101750837972 IPC(主分类):H01L 23/522 专利申请号:2015106453781 变更事项:申请人变更前:耐智亚有限公司变更后:安世有限公司变更事项:地址变更前:荷兰艾恩德霍芬变更后:荷兰奈梅亨
2016-05-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101660909362 IPC(主分类):H01L 23/522 专利申请号:2015106453781 申请日:20151008
2016-04-20	公开	公开
2018-11-30	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件的金属化 [P].

德克·托本 ;

布鲁诺·施普勒 ;

马丁·古奇 ;

彼得·韦甘德 .

中国专利 :CN1154186C ,1998-10-07

[2]

半导体器件的金属化方法 [P].

潘嘉 ;

杨继业 ;

邢军军 ;

黄璇 .

中国专利 :CN111599679A ,2020-08-28

[3]

包括多层金属化的功率半导体器件 [P].

托马斯·埃德加·哈林顿三世 ;

布赖斯·麦克弗森 ;

斯科特·艾伦 .

美国专利 :CN120548611A ,2025-08-26

[4]

用于半导体器件的功率金属化结构 [P].

R.K.约希 ;

R.佩尔策 ;

A.比尔克 ;

M.内尔希贝尔 ;

S.施密德鲍尔 .

:CN110783308B ,2025-02-25

[5]

包括铍金属化的功率半导体器件 [P].

阿夫辛·达德万德 ;

德瓦拉詹·巴拉拉曼 .

美国专利 :CN121153112A ,2025-12-16

[6]

用于半导体器件的功率金属化结构 [P].

R.K.约希 ;

R.佩尔策 ;

A.比尔克 ;

M.内尔希贝尔 ;

S.施密德鲍尔 .

中国专利 :CN110783308A ,2020-02-11

[7]

半导体器件金属化系统和方法 [P].

李香寰 ;

眭晓林 ;

蒯光国 ;

陈海清 ;

曾同庆 ;

杨文成 ;

高宗恩 ;

李明翰 ;

黄心岩 .

中国专利 :CN104779197B ,2015-07-15

[8]

用于制造具有金属化层的半导体器件的方法 [P].

P.加尼策 ;

R.策尔萨歇尔 .

中国专利 :CN102339795A ,2012-02-01

[9]

用于制造具有金属化层的半导体器件的方法 [P].

P.加尼策 ;

R.策尔萨歇尔 .

中国专利 :CN105006457A ,2015-10-28

[10]

半导体器件金属化工艺 [P].

波利特·安东尼 ;

佩则司·艾琳·M .

中国专利 :CN1037549A ,1989-11-29

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