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用于半导体器件的功率金属化结构
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910693203.6
申请日：
2019-07-30
公开(公告)号：
CN110783308B
公开(公告)日：
2025-02-25
发明(设计)人：
R.K.约希
R.佩尔策
A.比尔克
M.内尔希贝尔
S.施密德鲍尔
申请人：
英飞凌科技奥地利有限公司
申请人地址：
奥地利菲拉赫西门子大街2号
IPC主分类号：
H01L23/528
IPC分类号：
H01L21/768
代理机构：
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人：
刘书航;申屠伟进
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-02-25 | 授权 | 授权 |