包括多层金属化的功率半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380091912.1

申请日：

2023-12-08

公开(公告)号：

CN120548611A

公开(公告)日：

2025-08-26

发明(设计)人：

托马斯·埃德加·哈林顿三世布赖斯·麦克弗森斯科特·艾伦

申请人：

沃孚半导体公司

申请人地址：

美国北卡罗来纳州

IPC主分类号：

H01L23/498

IPC分类号：

H01L23/528 H01L23/532

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

沈敬亭

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-26	公开	公开

共 50 条

[1]

包括多层金属化层的半导体器件 [P].

伊沃·约翰内斯·梅蒂尔迪斯·玛丽亚·拉伊 .

中国专利 :CN1024066C ,1990-07-18

[2]

包括铍金属化的功率半导体器件 [P].

阿夫辛·达德万德 ;

德瓦拉詹·巴拉拉曼 .

美国专利 :CN121153112A ,2025-12-16

[3]

半导体器件的金属化 [P].

保罗·赫伊斯坎普 ;

霍德弗里德·亨克里斯·约瑟夫斯·诺特曼斯 .

中国专利 :CN105514084B ,2016-04-20

[4]

用于半导体器件的功率金属化结构 [P].

R.K.约希 ;

R.佩尔策 ;

A.比尔克 ;

M.内尔希贝尔 ;

S.施密德鲍尔 .

:CN110783308B ,2025-02-25

[5]

用于半导体器件的功率金属化结构 [P].

R.K.约希 ;

R.佩尔策 ;

A.比尔克 ;

M.内尔希贝尔 ;

S.施密德鲍尔 .

中国专利 :CN110783308A ,2020-02-11

[6]

多层金属化膜 [P].

R·马佐拉 ;

T·卡普托 .

中国专利 :CN105764938A ,2016-07-13

[7]

陶瓷衬底上的多层金属化 [P].

S·阿德勒 ;

R·迪尔施 ;

A·蒂姆 .

中国专利 :CN105074913B ,2015-11-18

[8]

半导体器件的金属化 [P].

德克·托本 ;

布鲁诺·施普勒 ;

马丁·古奇 ;

彼得·韦甘德 .

中国专利 :CN1154186C ,1998-10-07

[9]

具有应力减少夹层的多层金属化 [P].

J.费尔斯特 ;

M.施内甘斯 .

中国专利 :CN102903688A ,2013-01-30

[10]

芯片背面多层金属化结构 [P].

王新潮 ;

冯东明 ;

叶新民 ;

王文源 ;

江浩 .

中国专利 :CN201638807U ,2010-11-17

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