半导体器件金属化工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN89102989.3

申请日：

1989-04-28

公开(公告)号：

CN1037549A

公开(公告)日：

1989-11-29

发明(设计)人：

波利特·安东尼佩则司·艾琳·M

申请人：

申请人地址：

美国亚利桑那

IPC主分类号：

C23C1414

IPC分类号：

C23C1454

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利代理部

代理人：

王以平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1989-11-29	公开	公开
2002-06-26	专利权的终止未缴年费专利权终止	专利权的终止未缴年费专利权终止
1994-04-06	授权	授权
1991-03-06	实质审查请求已生效的专利申请	实质审查请求已生效的专利申请
2000-11-29	著录项目变更	著录项目变更变更事项:专利权人变更前:莫托罗拉公司变更后:摩托罗拉公司

共 50 条

[1]

一种半导体器件表面金属化工艺 [P].

黄亚发 ;

张俊 .

中国专利 :CN113584484A ,2021-11-02

[2]

一种半导体器件正面金属化工艺 [P].

孙芳魁 ;

袁晓飞 ;

许巍 ;

姜巍 ;

张建隆 ;

贺鹏 .

中国专利 :CN104112655A ,2014-10-22

[3]

器件金属化工艺装置 [P].

严盛喜 ;

严格 ;

汪玮玺 ;

王猛 ;

杜昌远 ;

沈国俊 .

中国专利 :CN209860123U ,2019-12-27

[4]

半导体器件的金属化 [P].

保罗·赫伊斯坎普 ;

霍德弗里德·亨克里斯·约瑟夫斯·诺特曼斯 .

中国专利 :CN105514084B ,2016-04-20

[5]

半导体器件的金属化 [P].

德克·托本 ;

布鲁诺·施普勒 ;

马丁·古奇 ;

彼得·韦甘德 .

中国专利 :CN1154186C ,1998-10-07

[6]

金属化工艺 [P].

骆统 ;

杨令武 ;

苏金达 ;

杨大弘 ;

陈光钊 .

中国专利 :CN101393855B ,2009-03-25

[7]

一种金属-半导体的金属化工艺及方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN110148581B ,2019-08-20

[8]

半导体器件的金属化方法 [P].

潘嘉 ;

杨继业 ;

邢军军 ;

黄璇 .

中国专利 :CN111599679A ,2020-08-28

[9]

器件金属化工艺及其应用以及实现所述金属化工艺的装置 [P].

严盛喜 ;

严格 ;

汪玮玺 ;

王猛 ;

杜昌远 ;

沈国俊 .

中国专利 :CN109216855A ,2019-01-15

[10]

铜金属化工艺 [P].

何朋 ;

蒋剑勇 ;

孙日辉 .

中国专利 :CN106158727A ,2016-11-23

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