半导体器件金属化系统和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410105822.6

申请日：

2014-03-20

公开(公告)号：

CN104779197B

公开(公告)日：

2015-07-15

发明(设计)人：

李香寰眭晓林蒯光国陈海清曾同庆杨文成高宗恩李明翰黄心岩

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;孙征

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-15	公开	公开
2018-08-28	授权	授权
2015-08-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101620067596 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2014101058226 申请日:20140320

共 50 条

[1]

半导体金属化系统和方法 [P].

Y·J·帕克 .

中国专利 :CN1254949A ,2000-05-31

[2]

半导体器件的金属化方法 [P].

潘嘉 ;

杨继业 ;

邢军军 ;

黄璇 .

中国专利 :CN111599679A ,2020-08-28

[3]

半导体器件的金属化 [P].

保罗·赫伊斯坎普 ;

霍德弗里德·亨克里斯·约瑟夫斯·诺特曼斯 .

中国专利 :CN105514084B ,2016-04-20

[4]

半导体器件的金属化 [P].

德克·托本 ;

布鲁诺·施普勒 ;

马丁·古奇 ;

彼得·韦甘德 .

中国专利 :CN1154186C ,1998-10-07

[5]

形成半导体金属化系统及其结构的方法 [P].

韦恩·A·克罗宁 ;

布赖恩·L·斯克里夫纳 ;

柯比·F·克茨 ;

小约翰·M·帕尔西 .

中国专利 :CN1174408A ,1998-02-25

[6]

半导体器件金属化工艺 [P].

波利特·安东尼 ;

佩则司·艾琳·M .

中国专利 :CN1037549A ,1989-11-29

[7]

用于半导体器件的功率金属化结构 [P].

R.K.约希 ;

R.佩尔策 ;

A.比尔克 ;

M.内尔希贝尔 ;

S.施密德鲍尔 .

:CN110783308B ,2025-02-25

[8]

包括铍金属化的功率半导体器件 [P].

阿夫辛·达德万德 ;

德瓦拉詹·巴拉拉曼 .

美国专利 :CN121153112A ,2025-12-16

[9]

用于半导体器件的功率金属化结构 [P].

R.K.约希 ;

R.佩尔策 ;

A.比尔克 ;

M.内尔希贝尔 ;

S.施密德鲍尔 .

中国专利 :CN110783308A ,2020-02-11

[10]

半导体器件金属化方法和太阳能电池制备方法 [P].

梁建军 ;

舒欣 .

中国专利 :CN111430508A ,2020-07-17

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