一种集成光学强电场传感器封装壳

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201721159504.3

申请日：

2017-09-08

公开(公告)号：

CN207248926U

公开(公告)日：

2018-04-17

发明(设计)人：

刘刚蔡汉生贾磊胡上茂施健冯宾张义廖民传胡泰山

申请人：

申请人地址：

510663 广东省广州市萝岗区科学城科翔路11号J1栋3、4、5楼及J3栋3楼

IPC主分类号：

G01R104

IPC分类号：

G01R2908

代理机构：

北京中博世达专利商标代理有限公司 11274

代理人：

申健

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-17	授权	授权
2021-06-18	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):G01R 1/04 登记生效日:20210607 变更事项:专利权人变更前权利人:南方电网科学研究院有限责任公司变更后权利人:南方电网科学研究院有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:510663 广东省广州市萝岗区科学城科翔路11号J1栋3、4、5楼及J3栋3楼变更后权利人:510700 广东省广州市萝岗区科学城科翔路11号J1栋3、4、5楼及J3栋3楼变更事项:专利权人变更前权利人:中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心

共 50 条

[1]

一种集成光学强电场传感器 [P].

胡上茂 ;

蔡汉生 ;

贾磊 ;

刘刚 ;

施健 ;

冯宾 ;

张义 ;

廖民传 ;

胡泰山 .

中国专利 :CN207164148U ,2018-03-30

[2]

一种集成光学强电场传感器的耦合封装方法 [P].

刘刚 ;

蔡汉生 ;

贾磊 ;

胡上茂 ;

曾荣 ;

庄池杰 ;

王博 ;

汪海 ;

施健 ;

冯宾 ;

张义 ;

廖民传 ;

胡泰山 .

中国专利 :CN107526132A ,2017-12-29

[3]

一种集成光学强电场传感器稳定性测试系统及方法 [P].

胡上茂 ;

蔡汉生 ;

贾磊 ;

刘刚 ;

曾荣 ;

庄池杰 ;

王博 ;

汪海 ;

施健 ;

冯宾 ;

张义 ;

廖民传 ;

胡泰山 .

中国专利 :CN107621618A ,2018-01-23

[4]

一种非对称结构集成光学电场传感器 [P].

万路 ;

肖勇 ;

张乐平 ;

金鑫 ;

罗鸿轩 .

中国专利 :CN208207080U ,2018-12-07

[5]

一种用于强电场测量的光电集成强电场传感器 [P].

曾嵘 ;

何金良 ;

陈未远 ;

梁文烈 .

中国专利 :CN1844942B ,2006-10-11

[6]

一种光学电场传感器 [P].

肖霞 ;

徐雁 ;

徐垦 .

中国专利 :CN202330527U ,2012-07-11

[7]

电场传感器封装组件 [P].

夏善红 ;

闻小龙 ;

彭春荣 ;

杨鹏飞 ;

刘宇涛 .

中国专利 :CN208443926U ,2019-01-29

[8]

一种电场传感器防水壳 [P].

陆家榆 ;

吴桂芳 ;

袁海文 ;

崔勇 ;

吴琪 ;

鞠勇 ;

赵录兴 .

中国专利 :CN204028136U ,2014-12-17

[9]

一种电场传感器封装组件 [P].

闵毅 .

中国专利 :CN215525961U ,2022-01-14

[10]

一种光电集成电场传感器 [P].

杨红茹 ;

和莹 .

中国专利 :CN208367099U ,2019-01-11

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