合成半导体纳米尺寸材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880033902.1

申请日：

2018-05-22

公开(公告)号：

CN110651019A

公开(公告)日：

2020-01-03

发明(设计)人：

D·莫卡塔 I·达维迪 A·霍尔茨曼 S·奈什塔特

申请人：

申请人地址：

德国达姆施塔特

IPC主分类号：

C09K1102

IPC分类号：

C09K1108 C09K1156 C09K1162 H01L3300

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

宓霞

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-01-03	公开	公开
2020-11-13	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C09K 11/02 申请公布日:20200103

共 50 条

[1]

制备纳米尺寸发光半导体材料的方法 [P].

N·格兰巴赫 ;

I·达维迪 ;

S·内什塔特 .

中国专利 :CN110072968A ,2019-07-30

[2]

用于纳米尺寸材料的配体 [P].

I·利伯曼 ;

M·汉布格尔 ;

C·马图舍克 ;

T·埃贝勒 ;

B·布克哈特 ;

S·迈尔 .

中国专利 :CN113574136A ,2021-10-29

[3]

用于照相平版印刷的半导体纳米尺寸颗粒的应用 [P].

陈之昀 ;

E·F·弗利特 ;

G·库珀 .

中国专利 :CN1799004A ,2006-07-05

[4]

尺寸可控半导体纳米簇和纳米晶的绿色合成方法 [P].

杨秀荣 ;

孙明 .

中国专利 :CN101457403A ,2009-06-17

[5]

块纳米半导体PbTe材料的高压合成方法 [P].

朱品文 ;

贾晓鹏 ;

陈立学 ;

郭伟力 ;

邹广田 .

中国专利 :CN1375450A ,2002-10-23

[6]

合成CdTe半导体荧光纳米晶体材料的方法及其合成系统 [P].

周建光 ;

刘岩 ;

沈启慧 ;

于东冬 ;

黄校亮 ;

杨莹丽 ;

金丽 ;

范宏亮 ;

张磊 ;

赵晓丽 .

中国专利 :CN101082138A ,2007-12-05

[7]

半导体纳米材料 [P].

D·莫卡塔 ;

A·霍尔茨曼 ;

N·利迪希 ;

Y·尼森霍尔茨 .

中国专利 :CN110352229A ,2019-10-18

[8]

半导体纳米材料的制备方法 [P].

丘洁龙 .

中国专利 :CN113122263A ,2021-07-16

[9]

纳米导体或半导体材料尺寸可控的制备系统及制备方法 [P].

张昱 ;

崔成强 ;

曹萍 .

中国专利 :CN111168076B ,2020-05-19

[10]

基于水相合成的合金半导体复合纳米材料制备方法及合金半导体复合纳米材料 [P].

方威 ;

冯杰 ;

胡琅 ;

胡强 ;

徐平 ;

郭远军 ;

黄丽玲 ;

何斌 .

中国专利 :CN111940756B ,2020-11-17

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