半导体纳米材料

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880010816.9

申请日：

2018-02-07

公开(公告)号：

CN110352229A

公开(公告)日：

2019-10-18

发明(设计)人：

D·莫卡塔 A·霍尔茨曼 N·利迪希 Y·尼森霍尔茨

申请人：

申请人地址：

德国达姆施塔特

IPC主分类号：

C09K1170

IPC分类号：

C01B2508

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

陈晰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-18	公开	公开
2020-07-24	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C09K 11/70 申请公布日:20191018

共 50 条

[1]

半导体纳米材料和器件 [P].

刘文祥 .

中国专利 :CN101734609A ,2010-06-16

[2]

半导体纳米材料的制备方法 [P].

丘洁龙 .

中国专利 :CN113122263A ,2021-07-16

[3]

高稳定性半导体纳米材料 [P].

曾焕伟 ;

曾昱睿 ;

周君玮 ;

廖佳君 ;

蔡佳怡 ;

黄亭瑜 .

中国专利 :CN114540030A ,2022-05-27

[4]

无序工程半导体纳米材料制备系统 [P].

张晓军 ;

刘雷 .

中国专利 :CN109609915B ,2019-04-12

[5]

高稳定性半导体纳米材料 [P].

曾焕伟 ;

曾昱睿 ;

周君玮 ;

廖佳君 ;

蔡佳怡 ;

黄亭瑜 .

中国专利 :CN114540030B ,2024-05-03

[6]

基于纳米材料的半导体薄膜制备方法 [P].

段海平 .

中国专利 :CN120730869A ,2025-09-30

[7]

超薄纳米片半导体材料的制备方法 [P].

杨晴 ;

周俊 ;

周晓丽 ;

王文亮 ;

陆亚林 .

中国专利 :CN103896222B ,2014-07-02

[8]

半导体纳米材料电极的制备及应用 [P].

代盼盼 ;

刘晨 .

中国专利 :CN109884144A ,2019-06-14

[9]

一种半导体纳米材料热输运性质测试系统 [P].

包本刚 ;

孔永红 ;

朱湘萍 .

中国专利 :CN111555843A ,2020-08-18

[10]

蓝光发射半导体纳米晶体材料 [P].

乔纳森·S·斯特克尔 ;

约翰·P·齐默 ;

塞思·科-沙利文 ;

内森·E·斯托特 ;

弗拉迪米尔·布洛维克 ;

芒吉·G·巴温迪 .

中国专利 :CN101208808B ,2008-06-25

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