基于纳米材料的半导体薄膜制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510979014.0

申请日：

2025-07-16

公开(公告)号：

CN120730869A

公开(公告)日：

2025-09-30

发明(设计)人：

段海平

申请人：

重庆海视源科技有限公司

申请人地址：

400700 重庆市北碚区云禾路70号两江智慧创谷G5区3楼302

IPC主分类号：

H10F71/00

IPC分类号：

H10F77/14 H10F77/12 H10F77/122

代理机构：

北京鑫浩联德专利代理事务所(普通合伙) 11380

代理人：

王超

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-30	公开	公开
2025-10-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10F 71/00申请日:20250716

共 50 条

[1]

半导体纳米材料的制备方法 [P].

丘洁龙 .

中国专利 :CN113122263A ,2021-07-16

[2]

超薄纳米片半导体材料的制备方法 [P].

杨晴 ;

周俊 ;

周晓丽 ;

王文亮 ;

陆亚林 .

中国专利 :CN103896222B ,2014-07-02

[3]

半导体纳米材料 [P].

D·莫卡塔 ;

A·霍尔茨曼 ;

N·利迪希 ;

Y·尼森霍尔茨 .

中国专利 :CN110352229A ,2019-10-18

[4]

半导体材料的制备方法 [P].

徐俞 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN109306466A ,2019-02-05

[5]

纳米导体或半导体材料尺寸可控的制备系统及制备方法 [P].

张昱 ;

崔成强 ;

曹萍 .

中国专利 :CN111168076B ,2020-05-19

[6]

半导体纳米复合薄膜的制备方法 [P].

娄文静 ;

王晓波 ;

郝京诚 ;

陈淼 .

中国专利 :CN101471392A ,2009-07-01

[7]

基于水相合成的合金半导体复合纳米材料制备方法及合金半导体复合纳米材料 [P].

方威 ;

冯杰 ;

胡琅 ;

胡强 ;

徐平 ;

郭远军 ;

黄丽玲 ;

何斌 .

中国专利 :CN111940756B ,2020-11-17

[8]

一种半导体材料、半导体薄膜及其制备方法 [P].

王庶民 ;

潘文武 ;

李耀耀 ;

王朋 ;

王凯 ;

吴晓燕 ;

崔健 .

中国专利 :CN104810454A ,2015-07-29

[9]

一种用于In基半导体材料的稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

罗曦 ;

张敬霖 ;

于一鹏 ;

卢凤双 ;

李海鹏 ;

刘派 ;

张建生 ;

张建福 ;

祁焱 .

中国专利 :CN116479385B ,2025-12-09

[10]

一种ZnO半导体纳米材料墨水的制备方法 [P].

孟秀清 ;

吴锋民 ;

李京波 ;

方允樟 .

中国专利 :CN103242695B ,2013-08-14

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