半导体纳米材料和器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910112931.X

申请日：

2009-12-09

公开(公告)号：

CN101734609A

公开(公告)日：

2010-06-16

发明(设计)人：

刘文祥

申请人：

申请人地址：

351100 福建省莆田市涵江区涵东办事处塘北山巷83号2梯703室

IPC主分类号：

B81B702

IPC分类号：

H01L21205 H01L2978

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-12-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101028082335 IPC(主分类):B81B 7/02 专利申请号:200910112931X 申请日:20091209
2010-06-16	公开	公开
2015-07-29	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101718733531 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:200910112931X 申请公布日:20100616

共 50 条

[1]

半导体纳米材料 [P].

D·莫卡塔 ;

A·霍尔茨曼 ;

N·利迪希 ;

Y·尼森霍尔茨 .

中国专利 :CN110352229A ,2019-10-18

[2]

半导体封装材料和半导体器件 [P].

荒山千佳 .

中国专利 :CN113423753A ,2021-09-21

[3]

半导体封装材料和半导体器件 [P].

荒山千佳 .

日本专利 :CN113423753B ,2024-06-11

[4]

有机半导体材料和半导体器件 [P].

胜原真央 ;

鹈川彰人 .

中国专利 :CN101335331A ,2008-12-31

[5]

电荷传输半导体材料和半导体器件 [P].

迈克·策尔纳 ;

凯·莱德雷尔 ;

安东·基里 ;

沃洛季米尔·森科维斯基 ;

伊莎贝尔·布丽吉特·沃伊特 .

中国专利 :CN104685648A ,2015-06-03

[6]

半导体纳米材料的制备方法 [P].

丘洁龙 .

中国专利 :CN113122263A ,2021-07-16

[7]

使用分子组装形成碳和半导体纳米材料 [P].

阿里·阿夫扎里-阿达卡尼 ;

谢丽·R·卡根 ;

劳拉·L·科斯巴 .

中国专利 :CN101467238B ,2009-06-24

[8]

半导体器件和半导体器件组件 [P].

辻内干夫 ;

多留谷政良 ;

竹内阳介 .

中国专利 :CN102208429A ,2011-10-05

[9]

单片半导体器件和半导体器件 [P].

J·W·霍尔 ;

G·M·格里弗纳 .

中国专利 :CN207367973U ,2018-05-15

[10]

一种半导体纳米材料器件及其制作方法 [P].

刘冬华 ;

张广宇 ;

时东霞 .

中国专利 :CN103187249A ,2013-07-03

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