一种半导体纳米材料器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110455639.5

申请日：

2011-12-30

公开(公告)号：

CN103187249A

公开(公告)日：

2013-07-03

发明(设计)人：

刘冬华张广宇时东霞

申请人：

申请人地址：

100190 北京市海淀区中关村南三街八号

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L21223 H01L2936

代理机构：

北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391

代理人：

郭海彬;范晓斌

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101499125515 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2011104556395 申请日:20111230
2013-07-03	公开	公开
2016-05-25	授权	授权

共 50 条

[1]

一种半导体器件及其制作方法 [P].

李永亮 ;

程晓红 ;

张青竹 ;

王文武 .

中国专利 :CN111710649A ,2020-09-25

[2]

一种半导体器件及其制作方法 [P].

刘庆鹏 ;

代大全 ;

杨建国 .

中国专利 :CN108110016B ,2018-06-01

[3]

半导体器件及其制作方法 [P].

骆志炯 ;

朱慧珑 ;

尹海洲 .

中国专利 :CN102214690A ,2011-10-12

[4]

半导体器件及其制作方法 [P].

王津洲 .

中国专利 :CN101211970B ,2008-07-02

[5]

半导体器件及其制作方法 [P].

胡守时 ;

陈永南 ;

房世林 .

中国专利 :CN105336750B ,2016-02-17

[6]

半导体器件及其制作方法 [P].

黄晨 ;

蔡孟峯 .

中国专利 :CN114141641A ,2022-03-04

[7]

半导体器件及其制作方法 [P].

宋化龙 .

中国专利 :CN104952785A ,2015-09-30

[8]

半导体器件及其制作方法 [P].

禹国宾 .

中国专利 :CN103839983B ,2014-06-04

[9]

半导体器件及其制作方法 [P].

赵树峰 .

中国专利 :CN109786453B ,2019-05-21

[10]

半导体器件及其制作方法 [P].

李武祥 ;

王诗飞 ;

操梦雅 ;

程建秀 .

中国专利 :CN112447589A ,2021-03-05

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