磁场产生装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080009608.0

申请日：

2010-02-26

公开(公告)号：

CN102333482A

公开(公告)日：

2012-01-25

发明(设计)人：

青木雅昭岸本伦明

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

A61B5055

IPC分类号：

G01R33383

代理机构：

北京尚诚知识产权代理有限公司 11322

代理人：

龙淳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-03-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101203910166 IPC(主分类):A61B 5/055 专利申请号:2010800096080 申请日:20100226
2014-05-28	授权	授权
2012-01-25	公开	公开

共 50 条

[1]

磁场产生装置 [P].

青木雅昭 .

中国专利 :CN1771006A ,2006-05-10

[2]

磁场产生装置 [P].

青木雅昭 .

中国专利 :CN100418475C ,2007-06-13

[3]

移动磁场产生装置 [P].

杉田聪 ;

三泽康司 ;

唐玉琪 ;

宫入茂德 .

中国专利 :CN102437710B ,2012-05-02

[4]

磁场产生装置 [P].

M·T·约翰逊 ;

J·M·J·登东德 ;

M·F·吉利斯 ;

M·W·G·蓬吉 .

中国专利 :CN101501792A ,2009-08-05

[5]

磁场产生装置 [P].

王晓东 ;

廖艳飞 ;

王勃 .

中国专利 :CN104563965A ,2015-04-29

[6]

磁场产生装置及其组装方法 [P].

青木雅昭 ;

津崎刚 .

中国专利 :CN1337210A ,2002-02-27

[7]

磁场产生装置及其制造方法 [P].

青木雅昭 ;

津崎刚 .

中国专利 :CN1633255A ,2005-06-29

[8]

磁控溅射用磁场产生装置 [P].

栗山义彦 .

中国专利 :CN104093878B ,2014-10-08

[9]

高频磁场产生装置 [P].

芳井义治 ;

斋藤正树 ;

水落宪和 ;

林宽 .

中国专利 :CN114779141A ,2022-07-22

[10]

高频磁场产生装置 [P].

芳井义治 ;

斋藤正树 ;

水落宪和 ;

林宽 .

中国专利 :CN109490804B ,2019-03-19

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