磁场产生装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201510014537.8
申请日
2015-01-12
公开(公告)号
CN104563965A
公开(公告)日
2015-04-29
发明(设计)人
王晓东 廖艳飞 王勃
申请人
申请人地址
100049 北京市石景山区玉泉路(甲)19号
IPC主分类号
E21B3700
IPC分类号
H01F700
代理机构
北京亿腾知识产权代理事务所 11309
代理人
李楠
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
磁场产生装置 [P]. 
青木雅昭 .
中国专利 :CN1771006A ,2006-05-10
[2]
磁场产生装置 [P]. 
青木雅昭 ;
岸本伦明 .
中国专利 :CN102333482A ,2012-01-25
[3]
磁场产生装置 [P]. 
M·T·约翰逊 ;
J·M·J·登东德 ;
M·F·吉利斯 ;
M·W·G·蓬吉 .
中国专利 :CN101501792A ,2009-08-05
[4]
磁场产生装置 [P]. 
青木雅昭 .
中国专利 :CN100418475C ,2007-06-13
[5]
高频磁场产生装置 [P]. 
芳井义治 ;
斋藤正树 ;
水落宪和 ;
林宽 .
中国专利 :CN114779141A ,2022-07-22
[6]
移动磁场产生装置 [P]. 
杉田聪 ;
三泽康司 ;
唐玉琪 ;
宫入茂德 .
中国专利 :CN102437710B ,2012-05-02
[7]
高频磁场产生装置 [P]. 
芳井义治 ;
斋藤正树 ;
水落宪和 ;
林宽 .
中国专利 :CN109490804B ,2019-03-19
[8]
高频磁场产生装置 [P]. 
芳井义治 ;
斋藤正树 ;
水落宪和 ;
林宽 .
日本专利 :CN114779139B ,2025-05-27
[9]
变动磁场产生装置 [P]. 
川上穣 ;
神谷仁支 ;
大和开 ;
伯耆原爱 .
中国专利 :CN114555182A ,2022-05-27
[10]
高频磁场产生装置 [P]. 
芳井义治 ;
斋藤正树 ;
水落宪和 ;
林宽 .
日本专利 :CN114779141B ,2025-05-23