高频磁场产生装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210448222.4

申请日：

2018-08-14

公开(公告)号：

CN114779139B

公开(公告)日：

2025-05-27

发明(设计)人：

芳井义治斋藤正树水落宪和林宽

申请人：

胜美达集团株式会社

申请人地址：

日本国东京都

IPC主分类号：

G01R33/38

IPC分类号：

G01R33/385 H01F5/00 H01F5/04

代理机构：

北京智晨知识产权代理有限公司 11584

代理人：

胡丽莉

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-27	授权	授权

共 50 条

[1]

高频磁场产生装置 [P].

芳井义治 ;

斋藤正树 ;

水落宪和 ;

林宽 .

中国专利 :CN114779141A ,2022-07-22

[2]

高频磁场产生装置 [P].

芳井义治 ;

斋藤正树 ;

水落宪和 ;

林宽 .

中国专利 :CN109490804B ,2019-03-19

[3]

高频磁场产生装置 [P].

芳井义治 ;

斋藤正树 ;

水落宪和 ;

林宽 .

中国专利 :CN114779139A ,2022-07-22

[4]

高频磁场产生装置 [P].

芳井义治 ;

斋藤正树 ;

水落宪和 ;

林宽 .

日本专利 :CN114779141B ,2025-05-23

[5]

高频磁场产生装置 [P].

芳井义治 ;

斋藤正树 ;

水落宪和 ;

林宽 .

中国专利 :CN114779140A ,2022-07-22

[6]

高频磁场产生装置 [P].

芳井义治 ;

斋藤正树 ;

水落宪和 ;

林宽 .

日本专利 :CN114779140B ,2025-03-18

[7]

磁场产生装置 [P].

青木雅昭 .

中国专利 :CN1771006A ,2006-05-10

[8]

磁场产生装置 [P].

青木雅昭 ;

岸本伦明 .

中国专利 :CN102333482A ,2012-01-25

[9]

磁场产生装置 [P].

M·T·约翰逊 ;

J·M·J·登东德 ;

M·F·吉利斯 ;

M·W·G·蓬吉 .

中国专利 :CN101501792A ,2009-08-05

[10]

磁场产生装置 [P].

青木雅昭 .

中国专利 :CN100418475C ,2007-06-13

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