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一种4H-SiC窄带紫外光电探测器

被引：0
申请号：
CN202210633443.9
申请日：
2022-06-07
公开(公告)号：
CN115000207A
公开(公告)日：
2022-09-02
发明(设计)人：
崔艳霞 胡鲲 朱石磊 李国辉 潘登 田媛
申请人：
申请人地址：
030024 山西省太原市迎泽西大街79号
IPC主分类号：
H01L310312
IPC分类号：
H01L310224 H01L31102 H01L3118
代理机构：
太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14110
代理人：
赵江艳
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-09-02 公开 公开
2022-09-20 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0312 申请日:20220607
共 50 条
[1]
一种4H-SiC窄带紫外光电探测器 [P]. 
崔艳霞 ;
胡鲲 ;
朱石磊 ;
李国辉 ;
潘登 ;
田媛 .
中国专利 :CN115000207B ,2024-05-31
[2]
一种暗电流抑制的半绝缘型4H-SiC基紫外光电探测器及制备方法 [P]. 
崔艳霞 ;
胡鲲 ;
潘登 ;
王信朝 ;
朱石磊 ;
田媛 ;
许并社 .
中国专利 :CN115000229A ,2022-09-02
[3]
一种暗电流抑制的半绝缘型4H-SiC基紫外光电探测器及制备方法 [P]. 
崔艳霞 ;
胡鲲 ;
潘登 ;
王信朝 ;
朱石磊 ;
田媛 ;
许并社 .
中国专利 :CN115000229B ,2024-07-16
[4]
δ掺杂4H－SiC PIN结构紫外光电探测器及其制备方法 [P]. 
吴正云 ;
陈厦平 ;
朱会丽 ;
卢嵩岳 ;
李凌 .
中国专利 :CN100438083C ,2007-07-18
[5]
一种PIN结构4H－SiC紫外光电探测器 [P]. 
卢嵩岳 ;
吴正云 ;
李凌 ;
陈厦平 ;
朱会丽 .
中国专利 :CN201032635Y ,2008-03-05
[6]
一种晶体管型4H-SiC紫外光电探测器及其制备方法 [P]. 
崔艳霞 ;
樊亚萍 ;
潘登 ;
李国辉 ;
李梦辉 ;
梁强兵 ;
田媛 ;
许并社 .
中国专利 :CN114944439A ,2022-08-26
[7]
一种晶体管型4H-SiC紫外光电探测器及其制备方法 [P]. 
崔艳霞 ;
樊亚萍 ;
潘登 ;
李国辉 ;
李梦辉 ;
梁强兵 ;
田媛 ;
许并社 .
中国专利 :CN114944439B ,2024-07-16
[8]
一种MSM结构4H-SiC紫外光电探测器的制备方法 [P]. 
林鼎渠 ;
吴正云 ;
洪荣墩 ;
孙存志 ;
张志威 .
中国专利 :CN108231953B ,2018-06-29
[9]
一种MSM结构4H-SiC紫外光电探测器的制备工艺 [P]. 
马文超 .
中国专利 :CN104701408A ,2015-06-10
[10]
背照式结构的4H-SiC紫外光电探测器阵列及制备 [P]. 
付钊 ;
张峰 ;
洪荣墩 ;
蔡加法 ;
陈厦平 ;
林鼎渠 ;
吴少雄 ;
吴正云 .
中国专利 :CN112117336B ,2020-12-22
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