一种暗电流抑制的半绝缘型4H-SiC基紫外光电探测器及制备方法

被引：0

申请号：

CN202210645376.2

申请日：

2022-06-09

公开(公告)号：

CN115000229A

公开(公告)日：

2022-09-02

发明(设计)人：

崔艳霞胡鲲潘登王信朝朱石磊田媛许并社

申请人：

申请人地址：

030024 山西省太原市迎泽西大街79号

IPC主分类号：

H01L31102

IPC分类号：

H01L310312 H01L310216 H01L310224 H01L3118

代理机构：

太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14110

代理人：

赵江艳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/102 申请日:20220609
2022-09-02	公开	公开

共 50 条

[1]

一种暗电流抑制的半绝缘型4H-SiC基紫外光电探测器及制备方法 [P].

崔艳霞 ;

胡鲲 ;

潘登 ;

王信朝 ;

朱石磊 ;

田媛 ;

许并社 .

中国专利 :CN115000229B ,2024-07-16

[2]

一种4H-SiC窄带紫外光电探测器 [P].

崔艳霞 ;

胡鲲 ;

朱石磊 ;

李国辉 ;

潘登 ;

田媛 .

中国专利 :CN115000207B ,2024-05-31

[3]

一种4H-SiC窄带紫外光电探测器 [P].

崔艳霞 ;

胡鲲 ;

朱石磊 ;

李国辉 ;

潘登 ;

田媛 .

中国专利 :CN115000207A ,2022-09-02

[4]

一种抑制SiC紫外光电探测器暗电流方法 [P].

吴正云 ;

李忠东 ;

吴惠忠 .

中国专利 :CN104576825A ,2015-04-29

[5]

一种晶体管型4H-SiC紫外光电探测器及其制备方法 [P].

崔艳霞 ;

樊亚萍 ;

潘登 ;

李国辉 ;

李梦辉 ;

梁强兵 ;

田媛 ;

许并社 .

中国专利 :CN114944439A ,2022-08-26

[6]

一种晶体管型4H-SiC紫外光电探测器及其制备方法 [P].

崔艳霞 ;

樊亚萍 ;

潘登 ;

李国辉 ;

李梦辉 ;

梁强兵 ;

田媛 ;

许并社 .

中国专利 :CN114944439B ,2024-07-16

[7]

δ掺杂4H－SiC PIN结构紫外光电探测器及其制备方法 [P].

吴正云 ;

陈厦平 ;

朱会丽 ;

卢嵩岳 ;

李凌 .

中国专利 :CN100438083C ,2007-07-18

[8]

背照式结构的4H-SiC紫外光电探测器阵列及制备 [P].

付钊 ;

张峰 ;

洪荣墩 ;

蔡加法 ;

陈厦平 ;

林鼎渠 ;

吴少雄 ;

吴正云 .

中国专利 :CN112117336B ,2020-12-22

[9]

一种MSM结构4H-SiC紫外光电探测器的制备方法 [P].

林鼎渠 ;

吴正云 ;

洪荣墩 ;

孙存志 ;

张志威 .

中国专利 :CN108231953B ,2018-06-29

[10]

具有刻蚀微孔结构的4H-SiC紫外光电探测器及制备 [P].

张峰 ;

付钊 ;

洪荣墩 ;

蔡加法 ;

陈厦平 ;

林鼎渠 ;

吴少雄 ;

吴正云 .

中国专利 :CN112117337A ,2020-12-22

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