一种抑制SiC紫外光电探测器暗电流方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410720879.7

申请日：

2014-12-03

公开(公告)号：

CN104576825A

公开(公告)日：

2015-04-29

发明(设计)人：

吴正云李忠东吴惠忠

申请人：

申请人地址：

361006 福建省厦门市火炬高新区创业园伟业楼N504

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-01-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101643334689 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2014107208797 申请日:20141203
2017-12-22	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 31/18 申请公布日:20150429
2015-04-29	公开	公开

共 50 条

[1]

一种SiC/TiN NW紫外光电探测器 [P].

王瑞红 ;

尉国栋 ;

薛宝静 .

中国专利 :CN120882116A ,2025-10-31

[2]

一种降低铝镓氮紫外光电探测器暗电流的方法 [P].

刘婷 ;

胡云见 .

中国专利 :CN119421539A ,2025-02-11

[3]

一种暗电流抑制的半绝缘型4H-SiC基紫外光电探测器及制备方法 [P].

崔艳霞 ;

胡鲲 ;

潘登 ;

王信朝 ;

朱石磊 ;

田媛 ;

许并社 .

中国专利 :CN115000229A ,2022-09-02

[4]

一种暗电流抑制的半绝缘型4H-SiC基紫外光电探测器及制备方法 [P].

崔艳霞 ;

胡鲲 ;

潘登 ;

王信朝 ;

朱石磊 ;

田媛 ;

许并社 .

中国专利 :CN115000229B ,2024-07-16

[5]

紫外光电探测器的制备方法及紫外光电探测器 [P].

侯钧杰 ;

尹顺政 .

中国专利 :CN110690323B ,2020-01-14

[6]

一种4H-SiC窄带紫外光电探测器 [P].

崔艳霞 ;

胡鲲 ;

朱石磊 ;

李国辉 ;

潘登 ;

田媛 .

中国专利 :CN115000207B ,2024-05-31

[7]

一种4H-SiC窄带紫外光电探测器 [P].

崔艳霞 ;

胡鲲 ;

朱石磊 ;

李国辉 ;

潘登 ;

田媛 .

中国专利 :CN115000207A ,2022-09-02

[8]

一种抑制有机光电探测器暗电流的方法 [P].

孟鸿 ;

王月月 ;

高源鸿 ;

王振辉 ;

徐妹娌 ;

江志翔 .

中国专利 :CN118714862A ,2024-09-27

[9]

一种紫外光电探测器及其制备方法 [P].

李佳媛 ;

黎伟正 ;

罗祎航 ;

黄永 .

中国专利 :CN119677229B ,2025-12-02

[10]

一种紫外光电探测器及其制备方法 [P].

李佳媛 ;

黎伟正 ;

罗祎航 ;

黄永 .

中国专利 :CN119677229A ,2025-03-21

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