功率半导体器件及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210812168.7

申请日：

2022-07-11

公开(公告)号：

CN115394894A

公开(公告)日：

2022-11-25

发明(设计)人：

王群龚逸品陈张笑雄王江波

申请人：

申请人地址：

322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号

IPC主分类号：

H01L3338

IPC分类号：

H01L3302 H01L3344 H01L3300

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

吕耀萍

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-25	公开	公开
2022-12-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/38 申请日:20220711

共 50 条

[1]

功率半导体器件及其制备方法 [P].

王群 ;

龚逸品 ;

陈张笑雄 ;

王江波 .

中国专利 :CN115394894B ,2025-08-22

[2]

功率半导体器件及其制备方法 [P].

王群 ;

龚逸品 ;

陈张笑雄 ;

王江波 .

中国专利 :CN115394841A ,2022-11-25

[3]

功率半导体器件及其制备方法 [P].

李寿全 ;

张彦飞 ;

赵哿 ;

刘梦新 ;

温霄霞 .

中国专利 :CN118507529A ,2024-08-16

[4]

功率半导体器件及其制备方法 [P].

刘瑞 ;

李玲 ;

焦倩倩 ;

魏晓光 ;

王耀华 ;

唐新灵 ;

张语 ;

李立 .

中国专利 :CN119922929B ,2025-05-30

[5]

功率半导体器件及其制备方法 [P].

周源 ;

王超 ;

胡磊 ;

邢岳 ;

杨棂鑫 ;

王振达 ;

罗胡瑞 .

中国专利 :CN114141879A ,2022-03-04

[6]

功率半导体器件及其制备方法 [P].

郑忠庆 .

中国专利 :CN106783606A ,2017-05-31

[7]

功率半导体器件及其制备方法 [P].

周源 ;

王超 ;

胡磊 ;

邢岳 ;

杨棂鑫 ;

王振达 ;

罗胡瑞 .

中国专利 :CN114141879B ,2025-08-26

[8]

功率半导体器件及其制备方法 [P].

张涛 ;

李娜 .

中国专利 :CN119997531A ,2025-05-13

[9]

功率半导体器件及其制备方法 [P].

陈琼 .

中国专利 :CN119050137B ,2025-03-14

[10]

功率半导体器件及其制备方法 [P].

李寿全 ;

张彦飞 ;

赵哿 ;

刘梦新 ;

温霄霞 .

中国专利 :CN118507529B ,2024-10-11

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