功率半导体器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510374488.2

申请日：

2025-03-27

公开(公告)号：

CN119922929B

公开(公告)日：

2025-05-30

发明(设计)人：

刘瑞李玲焦倩倩魏晓光王耀华唐新灵张语李立

申请人：

北京怀柔实验室

申请人地址：

101400 北京市怀柔区杨雁东一路8号院5号楼319室

IPC主分类号：

H10D18/00

IPC分类号：

H10D62/10 H10D18/01

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

王晓玲

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-20	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 18/00申请日:20250327
2025-05-02	公开	公开
2025-05-30	授权	授权

共 50 条

[1]

功率半导体器件及其制备方法 [P].

刘瑞 ;

李玲 ;

焦倩倩 ;

魏晓光 ;

王耀华 ;

唐新灵 ;

张语 ;

李立 .

中国专利 :CN119922929A ,2025-05-02

[2]

功率半导体器件及其制备方法 [P].

李忠仁 ;

何福秀 .

中国专利 :CN120076376B ,2025-07-11

[3]

功率半导体器件及其制备方法 [P].

李忠仁 ;

何福秀 .

中国专利 :CN120076376A ,2025-05-30

[4]

一种功率半导体器件及其制备方法 [P].

梁嘉进 ;

伍震威 ;

单建安 .

中国专利 :CN117080245B ,2025-09-26

[5]

功率半导体器件及其制备方法 [P].

李寿全 ;

张彦飞 ;

赵哿 ;

刘梦新 ;

温霄霞 .

中国专利 :CN118507529A ,2024-08-16

[6]

功率半导体器件及其制备方法 [P].

周源 ;

王超 ;

胡磊 ;

邢岳 ;

杨棂鑫 ;

王振达 ;

罗胡瑞 .

中国专利 :CN114141879A ,2022-03-04

[7]

功率半导体器件及其制备方法 [P].

郑忠庆 .

中国专利 :CN106783606A ,2017-05-31

[8]

功率半导体器件及其制备方法 [P].

周源 ;

王超 ;

胡磊 ;

邢岳 ;

杨棂鑫 ;

王振达 ;

罗胡瑞 .

中国专利 :CN114141879B ,2025-08-26

[9]

功率半导体器件及其制备方法 [P].

王群 ;

龚逸品 ;

陈张笑雄 ;

王江波 .

中国专利 :CN115394841A ,2022-11-25

[10]

功率半导体器件及其制备方法 [P].

王群 ;

龚逸品 ;

陈张笑雄 ;

王江波 .

中国专利 :CN115394894A ,2022-11-25

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