磁电阻成像传感器阵列

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310261144.8

申请日：

2013-06-27

公开(公告)号：

CN103336251B

公开(公告)日：

2013-10-02

发明(设计)人：

薛松生詹姆斯·G·迪克金英西沈卫锋马克·C·仝大

申请人：

申请人地址：

215634 江苏省苏州市张家港市保税区广东路7号

IPC主分类号：

G07D704

IPC分类号：

G01R33022 G01R3309

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司 32103

代理人：

孙仿卫

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-10-02	公开	公开
2013-11-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101535530785 IPC(主分类):G01R 33/022 专利申请号:2013102611448 申请日:20130627
2016-05-25	授权	授权

共 50 条

[1]

磁电阻成像传感器阵列 [P].

薛松生 ;

詹姆斯·G·迪克 ;

金英西 ;

沈卫锋 ;

马克·C·仝大 .

中国专利 :CN203350427U ,2013-12-18

[2]

近距离磁电阻成像传感器阵列 [P].

马克·C·仝大 ;

薛松生 ;

詹姆斯·G·迪克 ;

金英西 ;

沈卫锋 .

中国专利 :CN103744038A ,2014-04-23

[3]

一种磁电阻成像传感器阵列 [P].

马克·C·仝大 ;

薛松生 ;

詹姆斯·G·迪克 ;

金英西 ;

沈卫锋 .

中国专利 :CN203759230U ,2014-08-06

[4]

磁电阻传感器 [P].

李大来 ;

王鑫 .

中国专利 :CN115436849A ,2022-12-06

[5]

磁电阻传感器 [P].

李大来 ;

王鑫 .

中国专利 :CN218445934U ,2023-02-03

[6]

磁电阻传感器及操作磁电阻传感器的方法 [P].

斯蒂芬·布茨曼 ;

马库斯·普洛查斯卡 .

中国专利 :CN101855563A ,2010-10-06

[7]

磁电阻角度传感器 [P].

李大来 ;

王鑫 .

中国专利 :CN115479537A ,2022-12-16

[8]

磁电阻角度传感器 [P].

李大来 ;

王鑫 .

中国专利 :CN218443722U ,2023-02-03

[9]

磁电阻传感器芯片 [P].

刘明 ;

关蒙萌 ;

胡忠强 ;

朱红艳 ;

朱家训 .

中国专利 :CN112363097A ,2021-02-12

[10]

巨磁电阻传感器 [P].

王林忠 ;

杜军 ;

曾荣伟 ;

肖又专 ;

库万军 .

中国专利 :CN2466665Y ,2001-12-19

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