参考电压产生电路、半导体集成电路及其装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610151372.X

申请日：

2006-09-07

公开(公告)号：

CN1928766A

公开(公告)日：

2007-03-14

发明(设计)人：

望月俊男今泉荣龟奥村早知子

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

G05F324

IPC分类号：

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

李镇江

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-03-14	公开	公开
2009-06-24	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

半导体集成电路 [P].

椎名正弘 .

中国专利 :CN1181547C ,2003-05-21

[2]

基准电压产生电路以及半导体集成电路 [P].

饭田裕太 ;

小宫健吾 .

日本专利 :CN118575409A ,2024-08-30

[3]

参考电压产生电路 [P].

赵殷相 .

中国专利 :CN101881985A ,2010-11-10

[4]

参考电压产生电路 [P].

赵殷相 .

中国专利 :CN101876836A ,2010-11-03

[5]

限幅电路及其半导体集成电路 [P].

大见忠弘 ;

西牟田武史 ;

宫城弘 ;

须川成利 ;

寺本章伸 .

中国专利 :CN1806330A ,2006-07-19

[6]

半导体集成电路装置 [P].

神田良 ;

大川重明 ;

吉武和广 .

中国专利 :CN1604328A ,2005-04-06

[7]

半导体集成电路装置 [P].

伊藤稔 .

中国专利 :CN1948974B ,2007-04-18

[8]

半导体集成电路装置 [P].

田中英俊 .

日本专利 :CN114600242B ,2025-08-29

[9]

半导体集成电路装置 [P].

竹中哲朗 .

中国专利 :CN102749953A ,2012-10-24

[10]

半导体集成电路装置 [P].

田矢真敏 ;

加藤邦彦 .

中国专利 :CN104701318A ,2015-06-10

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