半导体元件的制造方法以及半导体元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110556151.5

申请日：

2021-05-21

公开(公告)号：

CN113770549A

公开(公告)日：

2021-12-10

发明(设计)人：

山口一树住友新隆

申请人：

申请人地址：

日本德岛县

IPC主分类号：

B23K2638

IPC分类号：

B23K2670 H01L2178 H01L2906 B23K10140

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

谢辰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-10	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体元件、半导体元件的制造方法以及使用半导体元件的半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

本田达也 ;

平石铃之介 ;

金村大志 ;

太田将志 .

中国专利 :CN103123936A ,2013-05-29

[2]

半导体元件以及半导体元件制造方法 [P].

小林光 ;

长泽弘幸 ;

八田直记 ;

河原孝光 .

中国专利 :CN101919032A ,2010-12-15

[3]

半导体元件以及半导体元件的制造方法 [P].

大野彰仁 ;

竹见政义 ;

富田信之 .

中国专利 :CN100550440C ,2006-06-07

[4]

半导体元件以及半导体元件的制造方法 [P].

阿部祐介 .

日本专利 :CN115315819B ,2025-07-22

[5]

半导体元件以及半导体元件的制造方法 [P].

河原弘幸 .

日本专利 :CN118786589A ,2024-10-15

[6]

半导体元件以及半导体元件的制造方法 [P].

阿部祐介 .

中国专利 :CN115315819A ,2022-11-08

[7]

半导体元件以及半导体元件的制造方法 [P].

前田刚彰 ;

奥野博行 ;

横田嘉宏 .

中国专利 :CN103733310A ,2014-04-16

[8]

半导体元件以及半导体元件的制造方法 [P].

斋藤晓 .

中国专利 :CN1971885A ,2007-05-30

[9]

半导体元件的制造方法以及半导体元件 [P].

哈里·黑德勒 ;

托尔斯坦·迈耶 ;

芭芭拉·瓦斯克斯 .

中国专利 :CN1245744C ,2004-04-14

[10]

半导体元件的制造方法以及半导体元件 [P].

木谷智之 ;

井口知洋 ;

平原昌子 ;

西内秀夫 ;

东条启 ;

富冈泰造 .

中国专利 :CN100580875C ,2008-07-30

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