半导体元件以及半导体元件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510118514.8

申请日：

2005-10-27

公开(公告)号：

CN100550440C

公开(公告)日：

2006-06-07

发明(设计)人：

大野彰仁竹见政义富田信之

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L2904 H01L2120 H01S500

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

浦柏明;刘宗杰

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-10-14	授权	授权
2006-06-07	公开	公开
2006-08-02	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体元件的制造方法 [P].

大野彰仁 ;

竹见政义 ;

富田信之 .

中国专利 :CN101452837A ,2009-06-10

[2]

半导体元件以及半导体元件的制造方法 [P].

阿部祐介 .

日本专利 :CN115315819B ,2025-07-22

[3]

半导体元件以及半导体元件的制造方法 [P].

河原弘幸 .

日本专利 :CN118786589A ,2024-10-15

[4]

半导体元件以及半导体元件的制造方法 [P].

阿部祐介 .

中国专利 :CN115315819A ,2022-11-08

[5]

半导体元件以及半导体元件的制造方法 [P].

中原健 ;

赤坂俊辅 ;

川崎雅司 ;

大友明 ;

塚崎敦 .

中国专利 :CN101821865A ,2010-09-01

[6]

半导体元件、半导体装置以及半导体元件的制造方法 [P].

生野彻 ;

大西孝治 ;

西岛直也 .

日本专利 :CN120600698A ,2025-09-05

[7]

半导体元件、HEMT元件、以及半导体元件的制造方法 [P].

杉山智彦 ;

前原宗太 ;

角谷茂明 ;

田中光浩 .

中国专利 :CN103828030A ,2014-05-28

[8]

半导体元件、HEMT元件以及半导体元件的制造方法 [P].

三好实人 ;

角谷茂明 ;

市村干也 ;

杉山智彦 ;

田中光浩 .

中国专利 :CN102576679A ,2012-07-11

[9]

半导体元件和半导体元件的制造方法 [P].

村川贤太郎 .

中国专利 :CN114600248A ,2022-06-07

[10]

半导体元件和半导体元件的制造方法 [P].

村川贤太郎 .

日本专利 :CN114600248B ,2025-04-22

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