半导体元件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810135797.0

申请日：

2005-10-27

公开(公告)号：

CN101452837A

公开(公告)日：

2009-06-10

发明(设计)人：

大野彰仁竹见政义富田信之

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L3300 H01S500

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

王岳;刘宗杰

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-06-10	公开	公开
2009-08-05	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-04-20	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体元件以及半导体元件的制造方法 [P].

大野彰仁 ;

竹见政义 ;

富田信之 .

中国专利 :CN100550440C ,2006-06-07

[2]

半导体元件和半导体元件的制造方法 [P].

村川贤太郎 .

中国专利 :CN114600248A ,2022-06-07

[3]

半导体元件和半导体元件的制造方法 [P].

村川贤太郎 .

日本专利 :CN114600248B ,2025-04-22

[4]

半导体元件的制造方法 [P].

西影治彦 ;

宫本佳典 ;

细川泰伸 .

日本专利 :CN111628054B ,2024-12-03

[5]

半导体元件的制造方法 [P].

西影治彦 ;

宫本佳典 ;

细川泰伸 .

中国专利 :CN111628054A ,2020-09-04

[6]

半导体元件的制造方法 [P].

西影治彦 ;

宫本佳典 ;

细川泰伸 .

中国专利 :CN112635298A ,2021-04-09

[7]

半导体元件的制造方法 [P].

蒋嘉哲 .

中国专利 :CN117832204A ,2024-04-05

[8]

半导体元件的制造方法 [P].

中泽治雄 .

中国专利 :CN101256948A ,2008-09-03

[9]

半导体元件的制造方法 [P].

西影治彦 ;

宫本佳典 ;

细川泰伸 .

日本专利 :CN112635298B ,2025-09-05

[10]

半导体晶片、半导体条、半导体晶片的制造方法、半导体条的制造方法、半导体元件的制造方法 [P].

根岸将人 .

中国专利 :CN102623412A ,2012-08-01

← 1 2 3 4 5 →