半导体元件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810009619.3

申请日：

2008-02-13

公开(公告)号：

CN101256948A

公开(公告)日：

2008-09-03

发明(设计)人：

中泽治雄

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2104

IPC分类号：

H01L21324 H01L21265

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

沈昭坤

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-10-24	授权	授权
2010-05-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101001499298 IPC(主分类):H01L 21/04 专利申请号:2008100096193 申请日:20080213
2010-06-30	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101002713382 IPC(主分类):H01L 21/04 专利申请号:2008100096193 变更事项:申请人变更前权利人:富士电机电子技术株式会社变更后权利人:富士电机系统株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京变更后权利人:日本东京登记生效日:20100520
2008-09-03	公开	公开
2011-11-09	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101204904760 IPC(主分类):H01L 21/04 专利申请号:2008100096193 变更事项:申请人变更前权利人:富士电机系统株式会社变更后权利人:富士电机株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京变更后权利人:日本神奈川县登记生效日:20110921

共 50 条

[1]

半导体元件以及半导体元件的制造方法 [P].

大野彰仁 ;

竹见政义 ;

富田信之 .

中国专利 :CN100550440C ,2006-06-07

[2]

半导体元件的制造方法 [P].

大野彰仁 ;

竹见政义 ;

富田信之 .

中国专利 :CN101452837A ,2009-06-10

[3]

半导体晶片、半导体条、半导体晶片的制造方法、半导体条的制造方法、半导体元件的制造方法 [P].

根岸将人 .

中国专利 :CN102623412A ,2012-08-01

[4]

制造半导体元件的方法 [P].

李锡奎 ;

金一旭 .

中国专利 :CN1574290A ,2005-02-02

[5]

半导体元件的制造方法 [P].

黄泓文 ;

夏兴国 ;

邱清华 .

中国专利 :CN105845787A ,2016-08-10

[6]

半导体元件的制造方法 [P].

金海元 ;

禹相浩 ;

赵星吉 ;

张吉淳 .

中国专利 :CN103081063A ,2013-05-01

[7]

制造半导体元件的方法 [P].

布莱戴恩·杜瑞兹 ;

马库斯·琼斯·亨利库斯·范达尔 ;

马丁·克里斯多福·霍兰德 ;

荷尔本·朵尔伯斯 ;

乔治·凡利亚尼提斯 .

中国专利 :CN112582269A ,2021-03-30

[8]

半导体元件的制造方法 [P].

江宏礼 ;

郑兆钦 ;

陈自强 ;

陈奕升 .

中国专利 :CN111128883A ,2020-05-08

[9]

半导体元件的制造方法 [P].

原淳雅 ;

旦野克典 ;

加渡干尚 ;

山野飒 .

中国专利 :CN113539834A ,2021-10-22

[10]

半导体元件的制造方法 [P].

原淳雅 ;

旦野克典 ;

加渡干尚 ;

山野飒 .

日本专利 :CN113539834B ,2024-03-15

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