半导体元件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610104400.6

申请日：

2011-09-13

公开(公告)号：

CN105845787A

公开(公告)日：

2016-08-10

发明(设计)人：

黄泓文夏兴国邱清华

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

隆天知识产权代理有限公司 72003

代理人：

王芝艳;冯志云

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-02-01	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 33/00 申请公布日:20160810
2016-09-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101677911380 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2016101044006 申请日:20110913
2016-08-10	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体元件的制造方法 [P].

中泽治雄 .

中国专利 :CN101256948A ,2008-09-03

[2]

半导体元件的制造方法、半导体元件 [P].

津波大介 ;

西泽弘一郎 .

中国专利 :CN103789764B ,2014-05-14

[3]

半导体元件、半导体元件的制造方法 [P].

前田和弘 ;

志贺俊彦 .

中国专利 :CN104124220B ,2014-10-29

[4]

半导体元件的制造方法、半导体元件 [P].

土屋裕彰 ;

山口晴央 ;

中井荣治 .

中国专利 :CN107528215B ,2017-12-29

[5]

半导体元件、半导体元件的制造方法 [P].

高桥卓也 ;

楢崎敦司 ;

高桥彻雄 .

中国专利 :CN104241398A ,2014-12-24

[6]

半导体结构的制造方法与半导体元件 [P].

高大伟 ;

王祥保 ;

黄明杰 ;

吴集锡 ;

古淑瑗 .

中国专利 :CN101872725B ,2010-10-27

[7]

半导体元件和半导体元件的制造方法 [P].

村川贤太郎 .

中国专利 :CN114600248A ,2022-06-07

[8]

半导体元件以及半导体元件的制造方法 [P].

大野彰仁 ;

竹见政义 ;

富田信之 .

中国专利 :CN100550440C ,2006-06-07

[9]

半导体元件的制造方法及半导体元件 [P].

荻原光彦 .

中国专利 :CN111771256A ,2020-10-13

[10]

半导体元件和半导体元件的制造方法 [P].

西村武义 .

中国专利 :CN106449638A ,2017-02-22

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