半导体元件的制造方法、半导体元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710457276.6

申请日：

2017-06-16

公开(公告)号：

CN107528215B

公开(公告)日：

2017-12-29

发明(设计)人：

土屋裕彰山口晴央中井荣治

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01S5323

IPC分类号：

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

何立波;张天舒

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01S 5/323 申请日:20170616 授权公告日:20191108 终止日期:20200616
2018-01-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/323 申请日:20170616
2017-12-29	公开	公开
2019-11-08	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体元件的制造方法、半导体元件 [P].

津波大介 ;

西泽弘一郎 .

中国专利 :CN103789764B ,2014-05-14

[2]

半导体元件、半导体元件的制造方法 [P].

前田和弘 ;

志贺俊彦 .

中国专利 :CN104124220B ,2014-10-29

[3]

半导体元件、半导体元件的制造方法 [P].

高桥卓也 ;

楢崎敦司 ;

高桥彻雄 .

中国专利 :CN104241398A ,2014-12-24

[4]

半导体元件、半导体元件的制造方法以及使用半导体元件的半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

本田达也 ;

平石铃之介 ;

金村大志 ;

太田将志 .

中国专利 :CN103123936A ,2013-05-29

[5]

半导体元件及半导体元件制造方法 [P].

幸田了祐 ;

平田公祐 .

中国专利 :CN115461848A ,2022-12-09

[6]

半导体元件以及半导体元件制造方法 [P].

小林光 ;

长泽弘幸 ;

八田直记 ;

河原孝光 .

中国专利 :CN101919032A ,2010-12-15

[7]

半导体元件及半导体元件制造方法 [P].

幸田了祐 ;

平田公祐 .

日本专利 :CN115461848B ,2025-12-05

[8]

半导体元件和半导体元件的制造方法 [P].

村川贤太郎 .

中国专利 :CN114600248A ,2022-06-07

[9]

半导体元件以及半导体元件的制造方法 [P].

大野彰仁 ;

竹见政义 ;

富田信之 .

中国专利 :CN100550440C ,2006-06-07

[10]

半导体元件的制造方法及半导体元件 [P].

荻原光彦 .

中国专利 :CN111771256A ,2020-10-13

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