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半导体元件及半导体元件制造方法
被引:0
申请号
:
CN202180031277.9
申请日
:
2021-01-19
公开(公告)号
:
CN115461848A
公开(公告)日
:
2022-12-09
发明(设计)人
:
幸田了祐
平田公祐
申请人
:
申请人地址
:
日本静冈县
IPC主分类号
:
H01L2160
IPC分类号
:
代理机构
:
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322
代理人
:
杨琦;梁策
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-12-27
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/60 申请日:20210119
2022-12-09
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体元件及半导体元件制造方法
[P].
幸田了祐
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浜松光子学株式会社
浜松光子学株式会社
幸田了祐
;
平田公祐
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浜松光子学株式会社
浜松光子学株式会社
平田公祐
.
日本专利
:CN115461848B
,2025-12-05
[2]
半导体元件及半导体元件的制造方法
[P].
奥尔加·克雷姆帕斯卡
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
奥尔加·克雷姆帕斯卡
;
罗曼·卢普塔克
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
罗曼·卢普塔克
;
米夏尔·库博维奇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
米夏尔·库博维奇
.
中国专利
:CN106328696B
,2017-01-11
[3]
半导体元件的制造方法以及半导体元件
[P].
哈里·黑德勒
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
哈里·黑德勒
;
托尔斯坦·迈耶
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
托尔斯坦·迈耶
;
芭芭拉·瓦斯克斯
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
芭芭拉·瓦斯克斯
.
中国专利
:CN1245744C
,2004-04-14
[4]
半导体元件的制造方法及半导体元件
[P].
荻原光彦
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
荻原光彦
.
中国专利
:CN111771256A
,2020-10-13
[5]
半导体元件及制造半导体元件的方法
[P].
金荣载
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
金荣载
.
中国专利
:CN104465764A
,2015-03-25
[6]
半导体元件及半导体元件的制造方法
[P].
内原士
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
内原士
.
中国专利
:CN102694025A
,2012-09-26
[7]
半导体元件及半导体元件的制造方法
[P].
杉山智彦
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
杉山智彦
;
角谷茂明
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
角谷茂明
;
前原宗太
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
前原宗太
;
田中光浩
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
田中光浩
.
中国专利
:CN104126223A
,2014-10-29
[8]
半导体元件及半导体元件的制造方法
[P].
柳川吉明
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
索尼半导体解决方案公司
索尼半导体解决方案公司
柳川吉明
.
日本专利
:CN120937137A
,2025-11-11
[9]
半导体元件的制造方法及半导体元件
[P].
廖政华
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
廖政华
;
谢荣裕
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
谢荣裕
;
杨令武
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
杨令武
.
中国专利
:CN103187305A
,2013-07-03
[10]
半导体元件及半导体元件的制造方法
[P].
杨哲维
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
杨哲维
;
林浩雄
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
林浩雄
;
潘正圣
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
潘正圣
.
中国专利
:CN107665919B
,2018-02-06
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