半导体元件及半导体元件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280069971.0

申请日：

2012-12-04

公开(公告)号：

CN104126223A

公开(公告)日：

2014-10-29

发明(设计)人：

杉山智彦角谷茂明前原宗太田中光浩

申请人：

申请人地址：

日本爱知县名古屋市

IPC主分类号：

H01L21338

IPC分类号：

H01L21205 H01L29778 H01L29812

代理机构：

北京北翔知识产权代理有限公司 11285

代理人：

杨勇;郑建晖

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-12-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101589571892 IPC(主分类):H01L 21/338 专利申请号:2012800699710 申请日:20121204
2014-10-29	公开	公开
2017-04-05	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101749351151 IPC(主分类):H01L 21/338 专利申请号:2012800699710 申请公布日:20141029

共 50 条

[1]

半导体元件、HEMT元件、以及半导体元件的制造方法 [P].

杉山智彦 ;

前原宗太 ;

角谷茂明 ;

田中光浩 .

中国专利 :CN103828030A ,2014-05-28

[2]

半导体元件用外延基板、半导体元件及半导体元件用外延基板的制作方法 [P].

三好实人 ;

仓冈义孝 ;

角谷茂明 ;

田中光浩 .

中国专利 :CN101981677B ,2011-02-23

[3]

半导体元件、半导体装置及半导体元件的制造方法 [P].

塩路修司 .

中国专利 :CN107394024A ,2017-11-24

[4]

半导体元件、HEMT元件以及半导体元件的制造方法 [P].

三好实人 ;

角谷茂明 ;

市村干也 ;

杉山智彦 ;

田中光浩 .

中国专利 :CN102576679A ,2012-07-11

[5]

半导体元件及制作半导体元件的方法 [P].

德山慎司 ;

足立真宽 ;

京野孝史 ;

斋藤吉广 .

中国专利 :CN102414848A ,2012-04-11

[6]

半导体元件及半导体元件制造方法 [P].

幸田了祐 ;

平田公祐 .

中国专利 :CN115461848A ,2022-12-09

[7]

半导体元件及半导体元件制造方法 [P].

幸田了祐 ;

平田公祐 .

日本专利 :CN115461848B ,2025-12-05

[8]

半导体元件以及半导体元件的制造方法 [P].

大野彰仁 ;

竹见政义 ;

富田信之 .

中国专利 :CN100550440C ,2006-06-07

[9]

半导体元件的制造方法及半导体元件 [P].

荻原光彦 .

中国专利 :CN111771256A ,2020-10-13

[10]

半导体元件及制造半导体元件的方法 [P].

金荣载 .

中国专利 :CN104465764A ,2015-03-25

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