制造半导体元件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200310118194.7

申请日：

2003-11-25

公开(公告)号：

CN1574290A

公开(公告)日：

2005-02-02

发明(设计)人：

李锡奎金一旭

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21822

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-01-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101594992787 IPC(主分类):H01L 21/822 专利号:ZL2003101181947 申请日:20031125 授权公告日:20061101 终止日期:20131125
2005-04-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-02-02	公开	公开
2006-11-01	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体元件、半导体元件的制造方法 [P].

前田和弘 ;

志贺俊彦 .

中国专利 :CN104124220B ,2014-10-29

[2]

半导体元件以及半导体元件制造方法 [P].

小林光 ;

长泽弘幸 ;

八田直记 ;

河原孝光 .

中国专利 :CN101919032A ,2010-12-15

[3]

在半导体衬底中制造半导体元件的方法 [P].

弗朗茨·迪茨 ;

福尔克尔·杜德克 ;

米夏埃多·格拉夫 .

中国专利 :CN1607646A ,2005-04-20

[4]

半导体元件和用于制造半导体元件的方法 [P].

C.布雷特豪尔 ;

D.梅因霍尔德 .

中国专利 :CN105905865A ,2016-08-31

[5]

半导体元件的制造方法 [P].

本多真也 ;

奈须野善之 ;

西村和仁 ;

东名敦志 ;

山田隆 .

中国专利 :CN104321853A ,2015-01-28

[6]

半导体元件的制造方法 [P].

王忠裕 ;

李建勋 ;

曹佩华 ;

张国钦 ;

林忠毅 ;

江浩然 .

中国专利 :CN101436559A ,2009-05-20

[7]

半导体元件的制造方法 [P].

金海元 ;

禹相浩 ;

赵星吉 ;

张吉淳 .

中国专利 :CN103081063A ,2013-05-01

[8]

制造半导体元件的方法 [P].

弗朗茨·克劳切克 .

中国专利 :CN88101860A ,1988-10-19

[9]

半导体元件的制造方法 [P].

江宏礼 ;

郑兆钦 ;

陈自强 ;

陈奕升 .

中国专利 :CN111128883A ,2020-05-08

[10]

半导体元件的制造方法 [P].

原淳雅 ;

旦野克典 ;

加渡干尚 ;

山野飒 .

中国专利 :CN113539834A ,2021-10-22

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