半导体元件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380025968.3

申请日：

2013-05-21

公开(公告)号：

CN104321853A

公开(公告)日：

2015-01-28

发明(设计)人：

本多真也奈须野善之西村和仁东名敦志山田隆

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L213065

IPC分类号：

H01L3104

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

岳雪兰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101599905360 IPC(主分类):H01L 21/3065 专利申请号:2013800259683 申请日:20130521
2015-01-28	公开	公开
2017-03-15	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101747994825 IPC(主分类):H01L 21/3065 专利申请号:2013800259683 申请公布日:20150128

共 50 条

[1]

半导体元件以及半导体元件的制造方法 [P].

斋藤晓 .

中国专利 :CN1971885A ,2007-05-30

[2]

半导体元件、半导体元件的制造方法 [P].

前田和弘 ;

志贺俊彦 .

中国专利 :CN104124220B ,2014-10-29

[3]

半导体元件基板的制造方法 [P].

田边彰洋 .

中国专利 :CN102640268A ,2012-08-15

[4]

制造半导体元件的方法 [P].

李锡奎 ;

金一旭 .

中国专利 :CN1574290A ,2005-02-02

[5]

半导体元件的制造方法 [P].

徐俊成 .

中国专利 :CN101964304A ,2011-02-02

[6]

半导体元件的制造方法 [P].

邱意为 ;

邱奕松 ;

翁子展 ;

何政昌 .

中国专利 :CN101840859A ,2010-09-22

[7]

成膜方法、半导体元件的制造方法、绝缘膜以及半导体元件 [P].

上田博一 ;

大泽佑介 ;

堀込正弘 .

中国专利 :CN102239545A ,2011-11-09

[8]

半导体元件的制造方法、半导体元件 [P].

津波大介 ;

西泽弘一郎 .

中国专利 :CN103789764B ,2014-05-14

[9]

半导体元件的制造方法、半导体元件 [P].

土屋裕彰 ;

山口晴央 ;

中井荣治 .

中国专利 :CN107528215B ,2017-12-29

[10]

半导体元件、半导体元件的制造方法 [P].

高桥卓也 ;

楢崎敦司 ;

高桥彻雄 .

中国专利 :CN104241398A ,2014-12-24

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