半导体元件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010143361.3

申请日：

2010-03-19

公开(公告)号：

CN101840859A

公开(公告)日：

2010-09-22

发明(设计)人：

邱意为邱奕松翁子展何政昌

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L21311

IPC分类号：

G03F736

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

姜燕;邢雪红

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-09-22	公开	公开
2010-11-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101014684556 IPC(主分类):H01L 21/311 专利申请号:2010101433613 申请日:20100319
2015-09-09	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101720545486 IPC(主分类):H01L 21/311 专利申请号:2010101433613 申请公布日:20100922

共 50 条

[1]

半导体元件以及半导体元件的制造方法 [P].

斋藤晓 .

中国专利 :CN1971885A ,2007-05-30

[2]

半导体元件的制造方法 [P].

徐俊成 .

中国专利 :CN101964304A ,2011-02-02

[3]

半导体元件及其制造方法 [P].

蔡镇宇 .

中国专利 :CN118591177A ,2024-09-03

[4]

半导体元件、HEMT元件、以及半导体元件的制造方法 [P].

杉山智彦 ;

前原宗太 ;

角谷茂明 ;

田中光浩 .

中国专利 :CN103828030A ,2014-05-28

[5]

半导体元件、HEMT元件以及半导体元件的制造方法 [P].

三好实人 ;

角谷茂明 ;

市村干也 ;

杉山智彦 ;

田中光浩 .

中国专利 :CN102576679A ,2012-07-11

[6]

半导体元件的制造方法 [P].

陈嘉仁 ;

陈薏新 ;

张庆裕 .

中国专利 :CN101673669B ,2010-03-17

[7]

半导体元件的制造方法 [P].

余绍铭 ;

张长昀 .

中国专利 :CN102130008A ,2011-07-20

[8]

半导体元件的制造方法 [P].

本多真也 ;

奈须野善之 ;

西村和仁 ;

东名敦志 ;

山田隆 .

中国专利 :CN104321853A ,2015-01-28

[9]

半导体元件的制造方法 [P].

杨固峰 ;

吴文进 ;

邱文智 ;

余振华 .

中国专利 :CN101295653A ,2008-10-29

[10]

半导体元件的制造方法 [P].

简财源 ;

赖亮全 .

中国专利 :CN100446220C ,2007-02-21

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