半导体元件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910165178.0

申请日：

2009-07-23

公开(公告)号：

CN101964304A

公开(公告)日：

2011-02-02

发明(设计)人：

徐俊成

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

彭久云

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-04-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101215315231 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2009101651780 申请日:20090723
2011-02-02	公开	公开
2013-10-02	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体元件的制造方法 [P].

邱意为 ;

邱奕松 ;

翁子展 ;

何政昌 .

中国专利 :CN101840859A ,2010-09-22

[2]

半导体元件以及半导体元件的制造方法 [P].

斋藤晓 .

中国专利 :CN1971885A ,2007-05-30

[3]

半导体元件及其制造方法 [P].

杨进盛 .

中国专利 :CN100479162C ,2007-10-31

[4]

半导体元件及其制造方法 [P].

陈达 .

中国专利 :CN108807661B ,2018-11-13

[5]

半导体元件及其制造方法 [P].

陈文吉 ;

陈东波 ;

艾世强 .

中国专利 :CN101005066A ,2007-07-25

[6]

半导体元件及其制造方法 [P].

王温壬 ;

叶宇寰 ;

王泉富 .

中国专利 :CN119767681A ,2025-04-04

[7]

制造半导体元件的方法 [P].

中西宏一郎 ;

沼居贵阳 .

中国专利 :CN1169267C ,2000-11-29

[8]

半导体元件的制造方法 [P].

余绍铭 ;

张长昀 .

中国专利 :CN102130008A ,2011-07-20

[9]

半导体元件的制造方法 [P].

本多真也 ;

奈须野善之 ;

西村和仁 ;

东名敦志 ;

山田隆 .

中国专利 :CN104321853A ,2015-01-28

[10]

半导体元件的制造方法 [P].

简财源 ;

赖亮全 .

中国专利 :CN100446220C ,2007-02-21

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