制造半导体元件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN00120014.3

申请日：

2000-05-19

公开(公告)号：

CN1169267C

公开(公告)日：

2000-11-29

发明(设计)人：

中西宏一郎沼居贵阳

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01S500

IPC分类号：

H01S5183 H01S522

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王永刚

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2000-11-29	公开	公开
2016-07-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101669488944 IPC(主分类):H01S 5/00 专利号:ZL001200143 申请日:20000519 授权公告日:20040929 终止日期:20150519
2004-09-29	授权	授权
2000-11-01	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效

共 50 条

[1]

半导体元件的制造方法 [P].

徐俊成 .

中国专利 :CN101964304A ,2011-02-02

[2]

半导体元件的制造方法、半导体元件 [P].

津波大介 ;

西泽弘一郎 .

中国专利 :CN103789764B ,2014-05-14

[3]

半导体元件、半导体元件的制造方法 [P].

前田和弘 ;

志贺俊彦 .

中国专利 :CN104124220B ,2014-10-29

[4]

半导体元件的制造方法、半导体元件 [P].

土屋裕彰 ;

山口晴央 ;

中井荣治 .

中国专利 :CN107528215B ,2017-12-29

[5]

半导体元件、半导体元件的制造方法 [P].

高桥卓也 ;

楢崎敦司 ;

高桥彻雄 .

中国专利 :CN104241398A ,2014-12-24

[6]

半导体元件和半导体元件的制造方法 [P].

村川贤太郎 .

中国专利 :CN114600248A ,2022-06-07

[7]

半导体元件以及半导体元件的制造方法 [P].

大野彰仁 ;

竹见政义 ;

富田信之 .

中国专利 :CN100550440C ,2006-06-07

[8]

半导体元件的制造方法及半导体元件 [P].

荻原光彦 .

中国专利 :CN111771256A ,2020-10-13

[9]

半导体元件和半导体元件的制造方法 [P].

西村武义 .

中国专利 :CN106449638A ,2017-02-22

[10]

半导体元件的制造方法和半导体元件 [P].

三宅泰人 ;

广山良治 ;

畑雅幸 .

中国专利 :CN101369528A ,2009-02-18

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