半导体元件的制造方法和半导体元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810145806.4

申请日：

2008-08-06

公开(公告)号：

CN101369528A

公开(公告)日：

2009-02-18

发明(设计)人：

三宅泰人广山良治畑雅幸

申请人：

申请人地址：

日本大阪

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L3300 H01S5343 H01S5323

代理机构：

北京尚诚知识产权代理有限公司

代理人：

龙淳

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-01-11	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101744712965 IPC(主分类):H01L 21/02 专利号:ZL2008101458064 登记生效日:20161221 变更事项:专利权人变更前权利人:未来之光有限责任公司变更后权利人:三洋电机株式会社变更事项:地址变更前权利人:美国加利福尼亚州变更后权利人:日本大阪府
2017-05-03	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101750903915 IPC(主分类):H01L 21/02 专利号:ZL2008101458064 登记生效日:20170414 变更事项:专利权人变更前权利人:三洋电机株式会社变更后权利人:晶元光电股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本大阪府变更后权利人:中国台湾新竹市科学园区力行五路5号
2010-10-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101006285049 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2008101458064 申请日:20080806
2013-03-27	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101554199268 IPC(主分类):H01L 21/02 专利号:ZL2008101458064 变更事项:专利权人变更前权利人:三洋电机株式会社变更后权利人:未来之光有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:日本大阪变更后权利人:美国加利福尼亚州登记生效日:20130306
2009-02-18	公开	公开
2012-06-13	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体元件和半导体元件的制造方法 [P].

村川贤太郎 .

中国专利 :CN114600248A ,2022-06-07

[2]

半导体元件和半导体元件的制造方法 [P].

西村武义 .

中国专利 :CN106449638A ,2017-02-22

[3]

半导体元件和半导体元件的制造方法 [P].

村川贤太郎 .

日本专利 :CN114600248B ,2025-04-22

[4]

半导体元件的制造方法和半导体元件 [P].

松浦文章 ;

佐藤知稔 .

中国专利 :CN105706215B ,2016-06-22

[5]

半导体元件和制造半导体元件的方法 [P].

约阿希姆·魏尔斯 ;

凯夫尼·布埃越克塔斯 ;

弗朗茨·赫尔莱尔 ;

安东·毛德 .

中国专利 :CN103700650B ,2014-04-02

[6]

半导体元件的制造方法、半导体元件 [P].

津波大介 ;

西泽弘一郎 .

中国专利 :CN103789764B ,2014-05-14

[7]

半导体元件、半导体元件的制造方法 [P].

前田和弘 ;

志贺俊彦 .

中国专利 :CN104124220B ,2014-10-29

[8]

半导体元件的制造方法、半导体元件 [P].

土屋裕彰 ;

山口晴央 ;

中井荣治 .

中国专利 :CN107528215B ,2017-12-29

[9]

半导体元件、半导体元件的制造方法 [P].

高桥卓也 ;

楢崎敦司 ;

高桥彻雄 .

中国专利 :CN104241398A ,2014-12-24

[10]

半导体元件和用于制造半导体元件的方法 [P].

M·瓦佩尔 ;

B·克诺特 ;

H·托伊斯 .

中国专利 :CN109637982A ,2019-04-16

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