半导体元件和制造半导体元件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310317338.5

申请日：

2013-07-25

公开(公告)号：

CN103700650B

公开(公告)日：

2014-04-02

发明(设计)人：

约阿希姆·魏尔斯凯夫尼·布埃越克塔斯弗朗茨·赫尔莱尔安东·毛德

申请人：

申请人地址：

奥地利菲拉赫

IPC主分类号：

H01L2364

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

余刚;吴孟秋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-04-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581899193 IPC(主分类):H01L 23/64 专利申请号:2013103173385 申请日:20130725
2014-04-02	公开	公开
2017-06-09	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体元件和半导体元件的制造方法 [P].

村川贤太郎 .

中国专利 :CN114600248A ,2022-06-07

[2]

半导体元件和半导体元件的制造方法 [P].

西村武义 .

中国专利 :CN106449638A ,2017-02-22

[3]

半导体元件的制造方法和半导体元件 [P].

三宅泰人 ;

广山良治 ;

畑雅幸 .

中国专利 :CN101369528A ,2009-02-18

[4]

半导体元件和半导体元件的制造方法 [P].

村川贤太郎 .

日本专利 :CN114600248B ,2025-04-22

[5]

半导体元件的制造方法和半导体元件 [P].

松浦文章 ;

佐藤知稔 .

中国专利 :CN105706215B ,2016-06-22

[6]

半导体元件的制造方法、半导体元件 [P].

津波大介 ;

西泽弘一郎 .

中国专利 :CN103789764B ,2014-05-14

[7]

半导体元件、半导体元件的制造方法 [P].

前田和弘 ;

志贺俊彦 .

中国专利 :CN104124220B ,2014-10-29

[8]

半导体元件的制造方法、半导体元件 [P].

土屋裕彰 ;

山口晴央 ;

中井荣治 .

中国专利 :CN107528215B ,2017-12-29

[9]

半导体元件、半导体元件的制造方法 [P].

高桥卓也 ;

楢崎敦司 ;

高桥彻雄 .

中国专利 :CN104241398A ,2014-12-24

[10]

半导体元件和用于制造半导体元件的方法 [P].

M·瓦佩尔 ;

B·克诺特 ;

H·托伊斯 .

中国专利 :CN109637982A ,2019-04-16

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