半导体元件和半导体元件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080074286.1

申请日：

2020-10-29

公开(公告)号：

CN114600248B

公开(公告)日：

2025-04-22

发明(设计)人：

村川贤太郎

申请人：

京瓷株式会社

申请人地址：

日本京都府

IPC主分类号：

H10D62/40

IPC分类号：

H10D62/10 H10D64/01 H10D64/62 H01L21/683

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

吴克鹏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-22	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体元件和半导体元件的制造方法 [P].

村川贤太郎 .

中国专利 :CN114600248A ,2022-06-07

[2]

半导体元件以及半导体元件的制造方法 [P].

大野彰仁 ;

竹见政义 ;

富田信之 .

中国专利 :CN100550440C ,2006-06-07

[3]

半导体元件和半导体元件的制造方法 [P].

西村武义 .

中国专利 :CN106449638A ,2017-02-22

[4]

半导体元件的制造方法和半导体元件 [P].

三宅泰人 ;

广山良治 ;

畑雅幸 .

中国专利 :CN101369528A ,2009-02-18

[5]

半导体元件的制造方法和半导体元件 [P].

松浦文章 ;

佐藤知稔 .

中国专利 :CN105706215B ,2016-06-22

[6]

半导体元件和制造半导体元件的方法 [P].

约阿希姆·魏尔斯 ;

凯夫尼·布埃越克塔斯 ;

弗朗茨·赫尔莱尔 ;

安东·毛德 .

中国专利 :CN103700650B ,2014-04-02

[7]

半导体元件以及半导体元件的制造方法 [P].

阿部祐介 .

日本专利 :CN115315819B ,2025-07-22

[8]

半导体元件以及半导体元件的制造方法 [P].

河原弘幸 .

日本专利 :CN118786589A ,2024-10-15

[9]

半导体元件以及半导体元件的制造方法 [P].

阿部祐介 .

中国专利 :CN115315819A ,2022-11-08

[10]

半导体元件的制造方法及半导体元件 [P].

根岸哲 ;

森下敏 ;

柴田晃秀 ;

小宫健治 ;

岩田浩 ;

高桥明 .

中国专利 :CN102227006B ,2011-10-26

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