半导体元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710863671.4

申请日：

2017-09-22

公开(公告)号：

CN108807661B

公开(公告)日：

2018-11-13

发明(设计)人：

陈达

申请人：

申请人地址：

中国台湾台中市大雅区科雅一路8号

IPC主分类号：

H01L4308

IPC分类号：

H01L4312 G11C1116

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

马雯雯;臧建明

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-22	授权	授权
2018-12-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 43/08 申请日:20170922
2018-11-13	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体元件及其制造方法 [P].

杨进盛 .

中国专利 :CN100479162C ,2007-10-31

[2]

半导体元件及其制造方法 [P].

徐国基 ;

曾国权 ;

陈宗毅 ;

沈建宇 ;

陈椿瑶 ;

李祥帆 .

中国专利 :CN100517718C ,2006-01-25

[3]

半导体元件及其制造方法 [P].

陈文吉 ;

陈东波 ;

艾世强 .

中国专利 :CN101005066A ,2007-07-25

[4]

半导体元件及其制造方法 [P].

王温壬 ;

叶宇寰 ;

王泉富 .

中国专利 :CN119767681A ,2025-04-04

[5]

半导体元件及其制造方法 [P].

谢朝景 ;

张俊杰 ;

洪宗佑 .

中国专利 :CN101170066A ,2008-04-30

[6]

半导体元件及其制造方法 [P].

洪铭钦 ;

林威廷 ;

涂峻豪 ;

陈嘉祥 .

中国专利 :CN102097324A ,2011-06-15

[7]

半导体元件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

坂田淳一郎 ;

宫永昭治 ;

坂仓真之 ;

肥塚纯一 ;

丸山哲纪 ;

井本裕己 .

中国专利 :CN104934483B ,2015-09-23

[8]

半导体元件及其制造方法 [P].

张志豪 ;

莫亦先 ;

郭文晖 .

中国专利 :CN107068761B ,2017-08-18

[9]

半导体元件及其制造方法 [P].

庄达人 ;

谢品秀 ;

孙志忠 .

中国专利 :CN112563275B ,2024-11-26

[10]

半导体元件及其制造方法 [P].

陈忠义 ;

关欣 ;

陈枝城 ;

叶任贤 ;

张启宣 ;

刘俊秀 ;

宋自强 ;

刘家玮 ;

张介亭 .

中国专利 :CN1797786A ,2006-07-05

← 1 2 3 4 5 →