半导体元件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180042742.5

申请日：

2011-09-01

公开(公告)号：

CN103081063A

公开(公告)日：

2013-05-01

发明(设计)人：

金海元禹相浩赵星吉张吉淳

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道龙仁市

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

代理机构：

北京北翔知识产权代理有限公司 11285

代理人：

洪玉姬;杨勇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-05-01	公开	公开
2016-08-03	授权	授权
2013-06-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101465136372 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:2011800427425 申请日:20110901

共 50 条

[1]

半导体元件之制造方法 [P].

鲁定中 ;

曾鸿辉 ;

章勋明 .

中国专利 :CN1825562A ,2006-08-30

[2]

制造半导体元件的方法 [P].

李锡奎 ;

金一旭 .

中国专利 :CN1574290A ,2005-02-02

[3]

半导体元件的制造方法 [P].

李丹晨 .

中国专利 :CN100413041C ,2006-01-04

[4]

半导体元件的制造方法 [P].

江宏礼 ;

郑兆钦 ;

陈自强 ;

陈奕升 .

中国专利 :CN111128883A ,2020-05-08

[5]

半导体元件的制造方法 [P].

原淳雅 ;

旦野克典 ;

加渡干尚 ;

山野飒 .

中国专利 :CN113539834A ,2021-10-22

[6]

半导体元件的制造方法 [P].

中泽治雄 .

中国专利 :CN101256948A ,2008-09-03

[7]

半导体元件的制造方法 [P].

原淳雅 ;

旦野克典 ;

加渡干尚 ;

山野飒 .

日本专利 :CN113539834B ,2024-03-15

[8]

半导体元件的制造方法、半导体元件 [P].

津波大介 ;

西泽弘一郎 .

中国专利 :CN103789764B ,2014-05-14

[9]

半导体元件、半导体元件的制造方法 [P].

前田和弘 ;

志贺俊彦 .

中国专利 :CN104124220B ,2014-10-29

[10]

半导体元件的制造方法、半导体元件 [P].

土屋裕彰 ;

山口晴央 ;

中井荣治 .

中国专利 :CN107528215B ,2017-12-29

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