在半导体衬底中制造半导体元件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410079827.2

申请日：

2004-09-20

公开(公告)号：

CN1607646A

公开(公告)日：

2005-04-20

发明(设计)人：

弗朗茨·迪茨福尔克尔·杜德克米夏埃多·格拉夫

申请人：

申请人地址：

联邦德国海尔布隆

IPC主分类号：

H01L21265

IPC分类号：

H01L21324 H01L21336 H01L2978

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

曾立

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-09-20	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-04-20	公开	公开
2014-11-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101588385178 IPC(主分类):H01L 21/265 专利号:ZL2004100798272 申请日:20040920 授权公告日:20080604 终止日期:20130920
2008-06-04	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体衬底、半导体元件及其制造方法 [P].

高桥邦方 ;

内田正雄 ;

北畠真 ;

横川俊哉 ;

楠本修 ;

山下贤哉 ;

宫永良子 .

中国专利 :CN1260776C ,2003-04-30

[2]

在半导体衬底上制作集成半导体元件的方法 [P].

P·N·斯塔夫里诺 ;

T·S·琼斯 ;

G·帕里 .

中国专利 :CN1331195C ,2005-05-18

[3]

半导体衬底、半导体器件和制造半导体衬底的方法 [P].

马克西姆·欧得诺莱多夫 ;

弗拉德斯拉夫·鲍格诺夫 ;

亚历克斯·罗马诺夫 ;

蒂姆·朗 .

中国专利 :CN101080808A ,2007-11-28

[4]

用于制造半导体衬底的方法和用于制造集成在半导体衬底中的半导体器件的方法 [P].

H-J.舒尔策 ;

W.维尔纳 .

中国专利 :CN103700577A ,2014-04-02

[5]

半导体衬底、半导体装置以及半导体衬底的制造方法 [P].

野上彰二 ;

五东仁 ;

柴田巧 ;

山本刚 .

中国专利 :CN102362336A ,2012-02-22

[6]

半导体衬底、半导体器件和半导体衬底的制造方法 [P].

木岛公一朗 .

中国专利 :CN101317257A ,2008-12-03

[7]

半导体衬底、半导体装置、半导体衬底的制造方法、以及半导体装置的制造方法 [P].

鹿内洋志 ;

佐藤宪 ;

篠宫胜 ;

土屋庆太郎 ;

萩本和德 .

中国专利 :CN108140582A ,2018-06-08

[8]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

陈峰 .

中国专利 :CN112951897A ,2021-06-11

[9]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

程凯 .

中国专利 :CN103681992A ,2014-03-26

[10]

半导体衬底、半导体衬底的制造方法及半导体装置的制造方法 [P].

伊藤冬马 ;

小出辰彦 ;

中岛宽记 ;

矢内有美 ;

杉田智彦 ;

北川白马 ;

守田峻海 .

中国专利 :CN114188392A ,2022-03-15

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