在半导体衬底中制造半导体元件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410079827.2

申请日：

2004-09-20

公开(公告)号：

CN1607646A

公开(公告)日：

2005-04-20

发明(设计)人：

弗朗茨·迪茨福尔克尔·杜德克米夏埃多·格拉夫

申请人：

申请人地址：

联邦德国海尔布隆

IPC主分类号：

H01L21265

IPC分类号：

H01L21324 H01L21336 H01L2978

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

曾立

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-09-20	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-04-20	公开	公开
2014-11-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101588385178 IPC(主分类):H01L 21/265 专利号:ZL2004100798272 申请日:20040920 授权公告日:20080604 终止日期:20130920
2008-06-04	授权	授权

共 50 条

[21]

半导体元件和用于制造半导体元件的方法 [P].

C.布雷特豪尔 ;

D.梅因霍尔德 .

中国专利 :CN105905865A ,2016-08-31

[22]

分层半导体衬底和光学半导体元件 [P].

櫛部光弘 ;

大場康夫 ;

橋本玲 ;

高岡圭児 .

中国专利 :CN1449061A ,2003-10-15

[23]

半导体元件衬底及其制造方法 [P].

冈本朋昭 ;

柳雅彦 ;

川上知巳 .

中国专利 :CN105453250A ,2016-03-30

[24]

半导体基板的制造方法、半导体元件的制造方法、半导体基板以及半导体元件 [P].

佐藤宪 ;

鹿内洋志 ;

后藤博一 ;

篠宫胜 ;

土屋庆太郎 ;

萩本和德 .

中国专利 :CN106165073B ,2016-11-23

[25]

半导体元件、半导体元件的制造方法以及使用半导体元件的半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

本田达也 ;

平石铃之介 ;

金村大志 ;

太田将志 .

中国专利 :CN103123936A ,2013-05-29

[26]

半导体元件、半导体装置及半导体元件的制造方法 [P].

塩路修司 .

中国专利 :CN107394024A ,2017-11-24

[27]

半导体元件、半导体装置以及半导体元件的制造方法 [P].

大津健嗣 ;

楠卓 ;

山田朗 ;

黑岩丈晴 ;

多留谷政良 .

中国专利 :CN103222039A ,2013-07-24

[28]

半导体基底、半导体元件及半导体元件的制造方法 [P].

陈孟扬 ;

李荣仁 .

中国专利 :CN110649132B ,2020-01-03

[29]

半导体元件、半导体晶片以及制造半导体元件的方法 [P].

林孟汉 ;

黄家恩 .

中国专利 :CN115497953A ,2022-12-20

[30]

半导体元件、半导体装置以及半导体元件的制造方法 [P].

生野彻 ;

大西孝治 ;

西岛直也 .

日本专利 :CN120600698A ,2025-09-05

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