分层半导体衬底和光学半导体元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03108388.9

申请日：

2003-03-28

公开(公告)号：

CN1449061A

公开(公告)日：

2003-10-15

发明(设计)人：

櫛部光弘大場康夫橋本玲高岡圭児

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01S500

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

蒋世迅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-12-17	实质审查的生效	实质审查的生效
2003-10-15	公开	公开
2007-05-30	授权	授权
2018-04-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20030328 授权公告日:20070530 终止日期:20170328

共 50 条

[1]

半导体衬底、半导体元件及其制造方法 [P].

高桥邦方 ;

内田正雄 ;

北畠真 ;

横川俊哉 ;

楠本修 ;

山下贤哉 ;

宫永良子 .

中国专利 :CN1260776C ,2003-04-30

[2]

具有半导体元件和衬底的半导体组件 [P].

亚历山大·基泽尔 ;

菲利普·克奈斯尔 ;

埃乌根尼·奥克斯 ;

斯特凡·普费弗莱因 ;

弗洛里安·施瓦茨 .

德国专利 :CN120958578A ,2025-11-14

[3]

半导体衬底和半导体装置 [P].

J·埃施 .

德国专利 :CN112053994B ,2025-02-07

[4]

半导体衬底和半导体装置 [P].

J·埃施 .

中国专利 :CN112053994A ,2020-12-08

[5]

半导体器件和半导体衬底 [P].

杉井信之 ;

中川清和 ;

山中伸也 ;

宫尾正信 .

中国专利 :CN1210809C ,2002-05-15

[6]

光学半导体元件 [P].

秋山知之 .

中国专利 :CN102955266A ,2013-03-06

[7]

半导体光学元件 [P].

渡边泽木 ;

芝和宏 ;

中田武志 .

中国专利 :CN101341600B ,2009-01-07

[8]

半导体衬底、半导体器件和制造半导体衬底的方法 [P].

马克西姆·欧得诺莱多夫 ;

弗拉德斯拉夫·鲍格诺夫 ;

亚历克斯·罗马诺夫 ;

蒂姆·朗 .

中国专利 :CN101080808A ,2007-11-28

[9]

半导体衬底生产方法及半导体衬底和半导体器件 [P].

竹中正浩 .

中国专利 :CN1259694C ,2004-04-07

[10]

半导体衬底、半导体器件和半导体衬底的制造方法 [P].

木岛公一朗 .

中国专利 :CN101317257A ,2008-12-03

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